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2N3439 参数 Datasheet PDF下载

2N3439图片预览
型号: 2N3439
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内容描述: 高压晶体管 [HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 3 页 / 86 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN 2N3439 - 2N3440
电气特性
TJ = 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
V
首席执行官
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
评级
集电极截止
当前
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
跃迁频率
输出电容
测试条件(S )
V
CB
= 360 V,I
E
= 0
V
CB
= 250 V,I
E
= 0
V
CE
= 300 V,I
B
= 0
V
CE
= 200 V,I
B
= 0
V
CE
= 450 V, V
BE
= -1.5 V
V
CE
= 300 V, V
BE
= -1.5 V
V
BE
= 6 V,I
C
= 0
I
C
= 50 mA时,我
B
= 0
I
C
= 2毫安, V
CE
= 10 V
I
C
能力= 20 mA ,V
CE
= 10 V
I
C
= 50 mA时,我
B
= 4毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 4毫安
I
C
= 10 mA时, V
CB
= 10 V
F = 5兆赫
V
CB
= 10 V , F = 1MHz的
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3439
2N3440
-
-
-
-
-
350
250
30
40
-
-
15
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
20
20
50
500
20
-
-
-
160
0.5
1.3
-
10
单位
µA
µA
µA
µA
V
-
V
V
兆赫
pF
08/08/2012
半导体COMSET
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