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    2N3227 参数 Datasheet PDF下载

    2N3227图片预览
    型号： 2N3227
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 环形硅晶体管 [SILICON ANNULAR TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 112 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3227的Datasheet PDF文件第2页  
    NPN 2N3227
    环形硅晶体管
    该2N3227为硅NPN硅晶体管的环形低电流，高速
    开关应用。
    它们被安装在JEDEC的TO -18金属。
    绝对最大额定值
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    V
    CES
    I
    C（峰值）
    P
    D
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    评级
    价值
    40
    20
    6
    40
    500
    0.36
    2.06
    1.2
    6.85
    +200
    -65到+200
    单位
    V
    V
    V
    V
    mA
    瓦
    毫瓦/°C的
    瓦
    毫瓦/°C的
    °C
    集电极电流
    器件总功耗环境温度
    降额Factore以上
    器件总功耗外壳温度。
    降额Factore以上
    结温
    存储温度范围
    @ T
    C
    25°
    @ T
    C
    25°
    =
    =
    NPN 2N3227
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CBO
    I
    CEX
    I
    BL
    BV
    CBO
    BV
    EBO
    BV
    首席执行官
    BV
    CES
    评级
    集电极截止电流
    集电极截止货币兑换。
    底座截止货币兑换。
    集电极 - 基极击穿
    电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压（1）
    集电极 - 发射极电压
    测试条件（S ）
    I
    E
    = 0 ; V
    CB
    = 20V
    I
    E
    = 0 ; V
    CB
    = 20V ;牛逼
    A
    = 150°C
    V
    CE
    = 20V ; V
    EB （O FF ）
    = 3V
    V
    CE
    = 20V ; V
    EB （O FF ）
    = 3V
    I
    C
    = 10 μA ;我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10 μA ;我
    C
    = 0
    I
    C
    = 10毫安
    I
    C
    = 10 μA ;我
    B
    = 0
    最小值典型值
    -
    -
    -
    -
    40
    6
    20
    40
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    MX单位
    0.2
    50
    0.2
    0.5
    -
    -
    -
    -
    µA
    V
    V
    V
    V
    半导体COMSET
    1/2

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