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    2N3227_12 参数 Datasheet PDF下载

    2N3227_12图片预览
    型号： 2N3227_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 环形硅晶体管 [SILICON ANNULAR TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 68 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3227_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N3227_12的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN 2N3227
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CBO
    I
    CEX
    I
    BL
    BV
    CBO
    BV
    EBO
    BV
    首席执行官
    BV
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    评级
    集电极截止电流
    集电极截止货币兑换。
    底座截止货币兑换。
    集电极 - 基极击穿
    电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    集电极 - 发射极电压
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    测试条件（S ）
    I
    E
    = 0 ; V
    CB
    = 20V
    I
    E
    = 0 ; V
    CB
    = 20V
    T
    A
    = 150°C
    V
    CE
    = 20V ; V
    EB （O FF ）
    = 3V
    V
    CE
    = 20V ; V
    EB （O FF ）
    = 3V
    I
    C
    = 10 μA ;我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10 μA ;我
    C
    = 0
    I
    C
    = 10毫安
    民
    -
    -
    -
    -
    40
    6
    20
    40
    -
    -
    -
    -
    100
    40
    30
    5
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    0.2
    50
    0.2
    0.5
    -
    -
    -
    -
    0.25
    0.45
    0.85
    1.4
    300
    -
    -
    -
    13
    18
    单位
    µA
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    h
    FE
    h
    fe
    t
    S
    T
    关闭
    t
    on
    C
    ob
    C
    ib
    I
    C
    = 10 μA ;我
    B
    = 0
    I
    C
    = 10 mA时，我
    B
    = 1.0毫安
    I
    C
    = 100米的，我
    B
    = 10毫安
    我= 10 mA时，我
    B
    = 1.0毫安
    基射极饱和电压
    C
    I
    C
    = 100米的，我
    B
    = 10毫安
    V
    CE
    = 1.0 V，I
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 1.0 V，I
    C
    = 10毫安
    直流电流增益
    T
    A
    =-55°c
    V
    CE
    = 1.0 V，I
    C
    -100毫安
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 10毫安
    小信号电流增益
    f=100MHz
    贮存时间
    I
    C
    = I
    B1
    = I
    B2
    = 10毫安
    I
    C
    = 10 A ，我
    B1
    = 3毫安;
    打开-O FF时间
    I
    B2
    = 1.5毫安; V
    CC
    =3.0 V
    I
    C
    = 10 A ，我
    B1
    = 3毫安
    开启时间
    V
    CC
    =3.0 V, V
    EB （O FF ）
    = 1.5
    V
    V
    CB
    =5
    V;
    I
    E
    =0
    ,
    输出电容
    f=140kHz
    V
    BE
    =1
    V;
    I
    C
    =0
    ,
    输入电容
    f=140kHz
    -
    -
    Ns
    12
    4.0
    4.0
    pF
    pF
    16/10/2012
    半导体COMSET
    2/3

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