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    2N2907_12 参数 Datasheet PDF下载

    2N2907_12图片预览
    型号： 2N2907_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 一般通用放大器晶体管 [GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体放大器晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 150 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N2907_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N2907_12的Datasheet PDF文件第3页  
    PNP 2N2907 - 2N2907A
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CBO
    I
    CBO
    I
    CEX
    V
    首席执行官
    V
    CBO
    V
    EBO
    评级
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    集电极发射极
    击穿电压
    集电极基极击穿
    电压
    发射极基极击穿
    电压
    测试条件（S ）
    V
    CB
    = -50 V，I
    E
    =0
    V
    CB
    = -50 V，I
    E
    =0
    T
    j
    =150°C
    V
    CE
    =-30 V
    V
    BE
    =0.5V
    I
    C
    = -10毫安
    I
    B
    =0
    I
    C
    =-10 µA
    I
    E
    =0
    I
    E
    =-10 µA
    I
    C
    =0
    I
    C
    = -0.1毫安
    V
    CE
    =-10 V
    I
    C
    = -1毫安
    V
    CE
    =-10 V
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    2N2907A
    2N2907
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    -60
    -40
    -60
    -60
    -5
    -5
    75
    100
    100
    100
    50
    30
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -10
    -20
    -10
    -20
    -50
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    300
    -
    -
    -0.4
    -0.4
    -1.6
    -1.6
    -1.3
    -1.3
    -2.6
    -2.6
    单位
    nA
    µA
    nA
    V
    V
    V
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = -10毫安
    V
    CE
    =-10 V
    I
    C
    = -150毫安
    V
    CE
    =-10 V
    I
    C
    = -500毫安
    V
    CE
    =-10 V
    I
    C
    = -150毫安
    集电极 - 发射极饱和我
    B
    = -15毫安
    电压（*）
    I
    C
    = -500毫安
    I
    B
    = -50毫安
    I
    C
    = -150毫安
    I
    B
    = -15毫安
    基射极饱和
    电压（*）
    I
    C
    = -500毫安
    I
    B
    = -50毫安
    直流电流增益（ * ）
    -
    V
    16/10/2012
    半导体COMSET
    3/3

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