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2N2905_12 参数 Datasheet PDF下载

2N2905_12图片预览

型号：	2N2905_12
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅平面外延型晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	3 页 / 80 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

浏览型号2N2905_12的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号2N2905_12的Datasheet PDF文件第3页

PNP 2N2905 - 2N2905A

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

测试条件（S ）

民

-

-

-

-

-

-60

-40

-60

-5

75

35

100

50

100

75

100

40

50

30

-

-

-

-

200

-

-

-

-

典型值

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

最大

-10

-20

-10

-20

-50

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

300

120

-

-

-0.4

-1.6

单位

nA

µA

nA

V

V

V

I

CBO

I

CEX

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

t

d

t

r

C

CBO

C

EBO

2N2905A

V

CB

=-50 V

I

E

=0

2N2905

收藏家Cuto FF电流

2N2905A

V

CB

= -50 V，I

E

=0

T

j

=150°C

2N2905

2N2905A

V

CE

=-30 V

收藏家Cuto FF电流

V

BE

=0.5V

2N2905

2N2905A

集电极发射极

I

C

= -10毫安

击穿电压

I

B

=0

2N2905

2N2905A

集电极和基

I

C

=-10 µA

击穿电压

I

E

=0

2N2905

2N2905A

发射极基极击穿我

E

=-10 µA

电压

I

C

=0

2N2905

2N2905A

I

C

= -0.1毫安

V

CE

=-10 V

2N2905

2N2905A

I

C

= -1毫安

V

CE

=-10 V

2N2905

2N2905A

I

C

= -10毫安

直流电流增益（ * ）

V

CE

=-10 V

2N2905

I

C

= -150毫安

2N2905A

V

CE

=-10 V

2N2905

2N2905A

I

C

= -500毫安

V

CE

=-10 V

2N2905

2N2905A

I

C

= -150毫安

I

B

= -15毫安

2N2905

集电极 - 发射极

饱和电压（ * ）

2N2905A

I

C

= -500毫安

I

B

= -50毫安

2N2905

2N2905A

I

C

= -150毫安

I

B

= -15毫安

2N2905

基射极饱和

电压（*）

2N2905A

I

C

= -500毫安

I

B

= -50毫安

2N2905

I

C

= -50毫安

2N2905A

跃迁频率

V

CE

=-20 V

2N2905

F = 100MHz的

延迟时间

I

C

= -150毫安，我

B

= -15毫安

-V

CC

=-30 V

上升时间

集电极 - 基

I

E

= I

e

= 0 ,V

CB

= -10 V 2N2905A

F = 100KHz的

电容

2N2905

I = I = 0，V

EB

= -2 V 2N2905A

发射极 - 基极电容

C c

F = 100KHz的

2N2905

-

V

-1.3

-2.6

-

10

40

8

30

兆赫

ns

pF

pF

（ * ）脉冲条件： TP < 300

µs, δ

=2%

16/10/2012

半导体COMSET

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