2N2894 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N2894
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内容描述：	HIGH -SPEED饱和SWITCHES [HIGH-SPEED SATURATED SWITCHES]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 76 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

NPN 2N2894

符号

(*)

评级

直流电流增益

测试条件（S ）

= -10毫安，V

=-0.3 V

= -30毫安，V

=-0.5 V

= -100毫安，V

=-1 V

= 150毫安， V

=10 V

民

-0.78

-0.85

典型值

150

-0.15

-0.2

-0.5

-0.98

-1.2

-1.7

单位

AMB

= -55°

CE （ SAT ）

(*)

BE （ SAT ）

(*)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

= -10毫安，我

= -1毫安

= -30毫安，我

= -3毫安

= -100毫安，我

= -10毫安

= -10毫安，我

= -1毫安

= -30毫安，我

= -3毫安

= -100毫安，我

= -10毫安

符号

CBO

EBO

关闭

评级

跃迁频率

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

开启时间

打开-O FF时间

测试条件（S ）

= -30毫安，V

=-10 V

F = 100MHz的

= 0 ,V

=-5 V

F = 1MHz的

= 0 ,V

=-0.5 V

F = 1MHz的

= -30毫安，V

=-2 V

= -1.5mA

= -30毫安，V

=-2 V

= -I

= -1.5mA

民

400

典型值

单位

兆赫

（ * ）脉冲条件： TP < 300

µs, δ

=1%

机械数据案例TO- 18

尺寸

12,7

0,49

5,3

4,9

5,8

2,54

1,2

1,16

45°

英寸

0,5

0,019

0,208

0,193

0,228

0,1

0,047

0,045

45°

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