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    2N2894_12 参数 Datasheet PDF下载

    2N2894_12图片预览
    型号： 2N2894_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HIGH -SPEED饱和SWITCHES [HIGH-SPEED SATURATED SWITCHES]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 78 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N2894_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N2894_12的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN 2N2894
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CBO
    I
    CES
    V
    首席执行官
    (*)
    V
    CES
    V
    CBO
    V
    EBO
    评级
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    集电极发射极击穿
    电压
    集电极发射极击穿
    电压
    集电极基极击穿
    电压
    发射极基极击穿
    电压
    测试条件（S ）
    V
    CB
    = -6 V，I
    E
    =0V
    T
    j
    =125°C
    V
    BE
    =0 V, V
    CE
    =-6 V
    I
    C
    = -10毫安，我
    B
    =0
    V
    BE
    = 0 V，I
    C
    =-10 µA
    I
    C
    = -10 μA ，我
    E
    =0
    I
    E
    = -100 μA ，我
    C
    =0
    民
    -
    -
    -12
    -12
    -12
    -4
    30
    40
    25
    17
    -
    -
    -
    -0.78
    -0.85
    -
    400
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -10
    -80
    -
    -
    -
    -
    -
    150
    -
    -
    -0.15
    -0.2
    -0.5
    -0.98
    -1.2
    -1.7
    -
    6
    6
    60
    单位
    µA
    nA
    V
    V
    V
    V
    I
    C
    = -10毫安，V
    CE
    =-0.3 V
    I
    C
    = -30毫安，V
    CE
    =-0.5 V
    h
    FE
    (*)
    直流电流增益
    I
    C
    = -100毫安，V
    CE
    =-1 V
    I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    =10 V
    T
    AMB
    = -55°
    I
    C
    = -10毫安，我
    B
    = -1毫安
    集电极 - 发射极饱和
    V
    CE （ SAT ）
    (*)
    I
    C
    = -30毫安，我
    B
    = -3毫安
    电压
    I
    C
    = -100毫安，我
    B
    = -10毫安
    I
    C
    = -10毫安，我
    B
    = -1毫安
    V
    BE （ SAT ）
    （ * ）基射极饱和电压I
    C
    = -30毫安，我
    B
    = -3毫安
    I
    C
    = -100毫安，我
    B
    = -10毫安
    I
    C
    = -30毫安，V
    CE
    =-10 V
    跃迁频率
    f
    T
    F = 100MHz的
    I
    E
    = 0 ,V
    CB
    =-5 V
    集电极 - 基极电容
    C
    CBO
    F = 1MHz的
    I
    C
    = 0 ,V
    EB
    =-0.5 V
    发射极 - 基极电容
    C
    EBO
    F = 1MHz的
    I
    C
    = -30毫安，V
    CC
    =-2 V
    开启时间
    t
    on
    I
    B1
    = -1.5mA
    I
    C
    = -30毫安，V
    CC
    =-2 V
    打开-O FF时间
    t
    关闭
    I
    B1
    = -I
    B2
    = -1.5mA
    （ * ）脉冲条件： TP < 300
    µs, δ
    =1%
    -
    V
    兆赫
    pF
    pF
    ns
    90
    15/10/2012
    半导体COMSET
    2|3

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