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2N2484 参数 Datasheet PDF下载

2N2484图片预览
型号: 2N2484
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内容描述: 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管放大器PC局域网
文件页数/大小: 3 页 / 81 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN 2N2484
硅平面外延晶体管
该2N2484是硅平面外延NPN晶体管安装在TO-18金属封装。
它们被设计用于高性能,低噪音放大器电路使用从音频到高频。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
@ T
AMB
= 25°
总功耗
结温
存储温度范围
@ T
= 25°
@ T
<100°
评级
价值
60
60
6
50
0.36
1.2
0.68
200
-65到+200
单位
V
V
V
mA
°C
°C
热特性
符号
R
THJ -A
R
THJ -C
评级
热阻,结到环境
热阻,结案件
价值
486
146
单位
° C / W
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
(*)
V
CBO
V
EBO
评级
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
发射极基极击穿电压
测试条件(S )
V
CB
= 45 V,I
E
=0
V
CB
= 45 V,I
E
=0, T
j
=150°C
V
BE
= 5.0 V,I
C
=0
I
C
= 10 mA时,我
B
=0
I
C
= 10 μA ,我
E
=0
I
E
= 10 μA ,我
C
=0
最小典型单位的Mx
-
-
-
60
60
6
-
-
-
-
-
-
10
10
10
-
-
-
1/3
nA
µA
nA
V
V
V
半导体COMSET