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2N2222 参数 Datasheet PDF下载

2N2222图片预览
型号: 2N2222
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内容描述: 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 3 页 / 183 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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2N2222 NPN - 2N2222A
PNP 2N2907 - 2N2907A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
I
CEX
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
评级
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
测试条件(S )
V
CB
= 60 V,I
E
=0V
V
CB
= 50 V,I
E
=0V
V
CB
= 60 V,I
E
= 0V ,T
j
=150°C
V
CB
= 50 V,I
E
= 0V ,T
j
=150°C
V
BE
= 3.0 V,I
C
=0
V
CE
=60 V, -V
BE
=3V
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.3
0.4
1
1.6
1.2
1.3
2
2.6
-
nA
µA
nA
nA
V
V
V
集电极发射极击穿
I
C
= 10 mA时,我
B
=0
电压
集电极基极击穿
I
C
= 10 μA ,我
E
=0
电压
发射极基极击穿
I
E
= 10 μA ,我
C
=0
电压
I
C
= 0.1毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 1毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
=10 V
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10 mA时, V
CE
=10 V
T
AMB
= -55°
I
C
= 150毫安, V
CE
=1 V (1)
I
C
= 150毫安, V
CE
=10 V (1)
I
C
= 500毫安, V
CE
=10 V (1)
I
C
= 150毫安,我
B
?? 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
-50毫安
I
C
= 150毫安,我
B
?? 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
-50毫安
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和
电压(1)
V
BE ( SAT )
基射极饱和
电压(1)
2N2222A
-
2N2222
2N2222A
-
2N2222
2N2222A
-
2N2222
2N2222A
-
2N2222
2N2222A
40
30
2N2222
2N2222A
75
60
2N2222
6
2N2222A
5
2N2222
2N2222A
35
2N2222
2N2222A
50
2N2222
2N2222A
75
2N2222
2N2222A
35
-
2N2222
2N2222A
50
2N2222
2N2222A
100
2N2222
2N2222A
40
30
2N2222
-
2N2222A
-
2N2222
-
2N2222A
-
2N2222
-
2N2222A
-
2N2222
-
2N2222A
-
2N2222
V
符号
f
T
h
fe
评级
跃迁频率
小信号电流增益
测试条件(S )
I
C
能力= 20 mA ,V
CE
=20 V
F = 100MHz的
I
C
-1 A,V
CE
=2.0 V
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
-
3/3
兆赫
-
2N2222A
250
300
2N2222
3
2N2222A
2.5
2N2222
半导体COMSET