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    2N1613_12 参数 Datasheet PDF下载

    2N1613_12图片预览
    型号： 2N1613_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 84 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N1613_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N1613_12的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN 2N1613 - 2N1711
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CBO
    I
    EB0
    V
    CBO
    评级
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    测试条件（S ）
    V
    CE
    = 60 V，I
    E
    =0
    V
    CE
    = 60 V，I
    E
    =0
    T
    AMB
    = 150°C
    V
    EB
    =5 V
    V
    EB
    =5 V
    I
    C
    -0.1毫安
    I
    E
    = 100 μA ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    ?? 15毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    ?? 15毫安
    I
    C
    = 0.1毫安， V
    CE
    =10 V
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    =10 V
    I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    =10 V
    I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    =10 V
    I
    C
    = 10 μA ，V
    CE
    =10 V
    I
    C
    = 0.1毫安， V
    CE
    =10 V
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    =10 V
    I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    =10 V
    I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    =10 V
    民
    -
    -
    TYP MAX
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10
    10
    10
    5
    -
    -
    1.5
    1.3
    -
    -
    120
    -
    -
    -
    -
    300
    -
    单位
    nA
    µA
    nA
    V
    V
    V
    V
    2N1613
    2N1711
    -
    -
    75
    7
    -
    -
    20
    35
    40
    20
    20
    35
    75
    100
    40
    集电极和基
    击穿电压
    发射极基极击穿
    V
    EBO
    电压
    集电极 - 发射极
    V
    CE （ SAT ）
    (*)
    饱和电压
    基射极饱和
    V
    BE （ SAT ）
    (*)
    电压
    2N1613
    h
    FE
    (*)
    直流电流增益
    -
    2N1711
    符号
    f
    T
    C
    CBO
    C
    EBO
    评级
    跃迁频率
    集电极 - 基
    电容
    发射极 - 基
    电容
    噪声系数
    测试条件（S ）
    I
    C
    = 50 mA时， V
    CE
    =10
    V，F = 100MHz的
    2N1613
    2N1711
    最小值典型值
    60
    70
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Mx
    -
    -
    25
    80
    12
    单位
    兆赫
    pF
    pF
    I
    E
    = 0, V
    CB
    = 10 V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 0, V
    EB
    = 0.5V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 0.3毫安， V
    CE
    = 10 V
    F = 1千赫，R
    9
    = 510
    Ω
    I
    C
    = 0.3毫安， V
    CE
    = 10 V
    F = 1千赫，R
    9
    = 510
    Ω
    2N1613
    2N1711
    NF
    dB
    8
    （ * ）脉冲条件： TP < 300
    µs, δ
    =2%.
    24/09/2012
    半导体COMSET
    2/3

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