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    185T2 参数 Datasheet PDF下载

    185T2图片预览
    型号： 185T2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管， DIFFUSED MESA [NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 253 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号185T2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号185T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号185T2的Datasheet PDF文件第4页  
    COMSET
    半导体
    BDY26 ， 183 T2
    BDY27 ， 184 T2
    BDY28 ， 185 T2
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    I
    C
    = 2.0 A，I
    B
    =0.25 A
    V
    CE （ SAT ）
    BDY26 ， 183T2
    BDY27 ， 184T2
    BDY28 ， 185T2
    BDY26 ， 183T2
    BDY27 ， 184T2
    BDY28 ， 185T2
    BDY26 ， 183T2
    BDY27 ， 184T2
    BDY28 ， 185T2
    A
    B
    C
    A
    B
    C
    BDY26 ， 183T2
    BDY27 ， 184T2
    BDY28 ， 185T2
    BDY26 ， 183T2
    BDY27 ， 184T2
    BDY28 ， 185T2
    A
    B
    C
    -
    -
    -
    300
    400
    500
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.6
    -
    -
    -
    1.2
    -
    -
    -
    45
    90
    180
    -
    V
    V
    （ BR ） CBO
    集电极 - 基极击穿
    电压（*）
    I
    C
    -3毫安
    V
    V
    BE （ SAT ）
    基射极电压（ * ）
    I
    C
    = 2.0 A，I
    B
    =0.25 A
    -
    -
    -
    55
    65
    90
    20
    45
    82
    -
    V
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =1 A
    h
    21E
    静态正向电流
    传输比（ * ）
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =2 A
    15
    30
    75
    10
    -
    f
    T
    跃迁频率
    V
    CE
    = 15 V，I
    C
    =0.5 A,
    F = 10MHz的
    兆赫
    t
    d
    + t
    r
    开启时间
    I
    C
    =5 A,
    I
    B
    =1 A
    I
    C
    =5 A,
    I
    B1
    =1 A,
    I
    B2
    =-1 A
    -
    -
    1
    2
    3.5
    6
    µs
    t
    s
    + t
    f
    打开-O FF时间
    -
    -
    µs
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    第3页
    4

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