BDV66B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BDV66B
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内容描述：	PNP硅DARLINGTONS功率晶体管 [PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 79 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

BDV66-A-B-C

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

BDV66

BDV66A

BDV66B

BDV66C

BDV66

BDV66A

BDV66B

BDV66C

BDV66

BDV66A

BDV66B

BDV66C

Value

Unit

Power Dissipation

= 25° C

175

Watts

Junction Temperature

150

°C

-65 to +150

Storage Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

thj-c

Ratings

Thermal Resistance, Junction to Case

Value

0.625

Unit

°C / W

SWITCHING TIMES

Symbol

off

Ratings

turn-on time

turn-off time

Test Condition(s)

Min

= 10 A , V

= 12 V

= -I

= 40 mA

Value

Typ

3.5

Unit

Max

µs

(*) Pulse Width

≈

300

µs,

Duty Cycle

∠

1.5 %

26/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

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