通用晶体管
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
基地截止电流
（ VCE = -30伏直流， VEB = -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = -30伏直流， VEB = -3.0 V直流）
1， FR- 5 = 1.0
0.75 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4 0.3 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%.
COMCHIP
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符号
V（ BR ） CEO
民
–40
最大
—
单位
VDC
VDC
V（ BR ） CBO
–40
V（ BR ） EBO
–5.0
IBL
—
ICEX
—
–50
—
VDC
—
NADC
–50
NADC
REM ：热复合是贝格斯公司的注册商标。
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
基本特征（ 3 ）
直流电流增益
（ IC = -0.1 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -50 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
符号
的hFE
民
60
80
100
60
30
最大
—
—
300
—
—
单位
—
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
–0.65
—
–0.85
–0.95
VDC
–0.25
–0.4
VDC
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = -10 MADC ， VCE = -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = -0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10伏直流， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10伏直流， F = 1.0千赫）
小 - 信号电流增益
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10伏直流， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10伏直流， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = -100
m
ADC ， VCE = -5.0伏， RS = 1.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
250
科博
—
CIBO
—
缺氧缺血性脑病
2.0
HRE
0.1
的hFE
100
HOE
3.0
NF
—
4.0
兆赫
—
pF
4.5
pF
10
kΩ
12
X 10– 4
10
—
400
m
姆欧
60
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = -3.0伏， VBE = 0.5伏，
IC = -10 MADC ， IB1 = -1.0 MADC ）
（ VCC = -3.0伏， IC = -10 MADC ，
IB1 = IB2 = -1.0 MADC ）
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
35
ns
35
225
ns
75
3.Pulse测试：脉冲宽度ı 300 ，占空比I 2.0 ％ 。
MDS0306002A
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