MMBT2222A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT2222A
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内容描述：	小信号晶体管（ NPN ） [Small Signal Transistor (NPN)]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管IOT
文件页数/大小：	3 页 / 51 K
品牌：	COMCHIP [ COMCHIP TECHNOLOGY ]

小信号晶体管（ NPN ）

COMCHIP

www.comchiptech.com

电气特性

参数

= 25 ° C除非另有说明）

符号

测试条件

CE =

10 V，I

- 0.1毫安

CE =

10 V，I

= 1毫安

CE =

10 V，I

= 10毫安

CE =

10 V，I

= 10毫安

= -55°C

CE =

10 V，I

= 150毫安

(1)

CE =

10 V，I

= 500毫安

(1)

CE =

1.0 V，I

= 150毫安

(1)

= 10

µA,

= 0

= 10 mA时，我

= 0

= 10

µA,

= 0

= 150毫安，我

= 15毫安

= 500毫安，我

= 50毫安

= 150毫安，我

= 15毫安

= 500毫安，我

= 50毫安

= 3 V, V

= 60 V

= 60 V，I

= 0

= 50 V，I

= 0 V

= 125°C

= 3 V, V

= 60 V

= 3 V

, I

= 0

= 20 V，I

= 20毫安

F = 100 MHz的

= 10 V ， F = 1MHz时，我

= 0

= 0.5 V ， F = 1MHz时，我

= 0

= 10 V，I

= 100

µA,

= 1千欧中，f = 1千赫

= 10 V，I

= 1毫安

F = 1千赫

= 10 V，I

= 10毫安

F = 1千赫

= 10 V，I

= 1毫安，

F = 1千赫

= 10 V，I

= 10毫安，

F = 1千赫

= 10 V，I

= 1毫安，

F = 1千赫

= 10 V，I

= 1毫安，

F = 1千赫

= 10 V，I

= 10毫安，

F = 1千赫

民

100

6.0

—

0.6

—

300

—

0.25

5.0

典型值

—

最大

—

300

—

0.3

1.0

1.2

2.0

100

—

4.0

8.0

单位

直流电流增益

—

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

(1)

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

(1)

基射极饱和电压

(1)

集电极截止电流

底座截止电流

发射极截止电流

电流增益带宽积

输出电容

输入电容

噪声系数

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CESAT

BESAT

CEX

CBO

EBO

敖包

IBO

µA

兆赫

输入阻抗

kΩ

1.25

300

375

300

375

200

µS

—

小信号电流增益

电压反馈比例

—

输出导纳

注意：

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

µs

- 占空比

≤

第2页

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