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    MMBT2222ALT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222ALT1G图片预览
    型号： MMBT2222ALT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管NPN硅 [General Purpose Transistors NPN Silicon]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 86 K
    品牌： COMCHIP [ COMCHIP TECHNOLOGY ]
     浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第6页  
    MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    集电极发射极击穿电压（I
    C
    = 10 MADC ，我
    B
    = 0)
    MMBT2222A
    集电极基极击穿电压（I
    C
    = 10
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    MMBT2222A
    发射-Base击穿电压（I
    E
    = 10
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    MMBT2222A
    集电极截止电流（V
    CE
    = 60 VDC ，V
    EB （O FF ）
    = 3.0伏）
    集电极截止电流（V
    CB
    = 50伏直流，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    = 60 VDC ，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    = 50伏直流，我
    E
    = 0, T
    A
    = 125°C)
    (V
    CB
    = 60 VDC ，我
    E
    = 0, T
    A
    = 125°C)
    发射极截止电流（V
    EB
    = 3.0伏，我
    C
    = 0)
    底座截止电流（V
    CE
    = 60 VDC ，V
    EB （O FF ）
    = 3.0伏）
    基本特征
    直流电流增益
    (I
    C
    = 0.1 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ）
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ，T
    A
    = −55°C)
    (I
    C
    = 150 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ）（注3 ）
    (I
    C
    = 150 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏） （注3）
    (I
    C
    = 500 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ）（注3 ）
    集电极发射极饱和电压（注3 ）
    (I
    C
    = 150 MADC ，我
    B
    = 15 MADC ）
    (I
    C
    = 500 MADC ，我
    B
    = 50 MADC ）
    基地发射极饱和电压（注3）
    (I
    C
    = 150 MADC ，我
    B
    = 15 MADC ）
    (I
    C
    = 500 MADC ，我
    B
    = 50 MADC ）
    小信号特性
    电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）
    (I
    C
    = 20 MADC ，V
    CE
    = 20伏， F = 100兆赫）
    输出电容
    (V
    CB
    = 10 VDC ，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入电容
    (V
    EB
    = 0.5伏，我
    C
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入阻抗
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    电压反馈比例
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    小-Signal电流增益
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    输出导纳
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    MMBT2222
    MMBT2222A
    h
    ie
    MMBT2222A
    MMBT2222A
    h
    re
    MMBT2222A
    MMBT2222A
    h
    fe
    MMBT2222A
    MMBT2222A
    h
    oe
    MMBT2222A
    MMBT2222A
    5.0
    25
    35
    200
    50
    75
    300
    375
    毫姆欧
    −
    −
    8.0
    4.0
    −
    2.0
    0.25
    8.0
    1.25
    X 10
    − 4
    f
    T
    MMBT2222
    MMBT2222A
    C
    敖包
    −
    C
    IBO
    −
    −
    30
    25
    kW
    8.0
    pF
    250
    300
    −
    −
    pF
    兆赫
    h
    FE
    35
    50
    75
    35
    100
    50
    30
    40
    V
    CE （ SAT ）
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    V
    BE （ SAT ）
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    −
    0.6
    −
    −
    1.3
    1.2
    2.6
    2.0
    −
    −
    −
    −
    0.4
    0.3
    1.6
    1.0
    VDC
    −
    −
    −
    −
    300
    −
    −
    −
    VDC
    −
    MMBT2222
    MMBT2222
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222A
    MMBT2222A
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CEX
    I
    CBO
    30
    40
    60
    75
    5.0
    6.0
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    10
    0.01
    0.01
    10
    10
    100
    20
    VDC
    VDC
    VDC
    NADC
    MADC
    符号
    民
    最大
    单位
    I
    EBO
    I
    BL
    NADC
    NADC
    只有MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    http://onsemi.com
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