肖特基势垒整流器器
1N5817 -G直通。 1N5819 -G
反向电压： 20〜 40 V
正向电流： 1.0
器件符合RoHS
特点
- 金属半导体结与保护环。
-Epitaxial建设。
- 低正向压降。
- 高电流能力。
在低电压 - 对于使用高频率逆变器，
续流和极性保护应用程序。
0.205(5.20)
0.165(4.20)
0.107(2.70)
DIA 。
0.080(2.00)
1.000 （ 25.40 ）最小。
1.000 （ 25.40 ）最小。
0.034(0.90)
DIA 。
0.028(0.70)
DO-41
机械数据
-Case ： JEDEC DO- 41模压塑料
- 环氧： UL 94V- 0率阻燃
-Polarity ：颜色频带为负极
-Mounting位置：任意
- 重量： 0.012次， 0.34克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载电流20％ 。
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
@T
A
=75°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
V
F
@T
J
=25°C
@T
J
=100°C
I
R
1N5817-G
20
14
20
1N5818-G
30
21
30
1.0
25
1N5819-G
40
28
40
单位
V
V
V
A
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在1.0A DC
在3.0A DC最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
1.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
2.热阻结到环境。
0.450
0.750
0.550
0.875
1.0
0.600
0.900
V
V
mA
10
C
J
R
θJA
T
J
T
英镑
110
80
-55到+150
-55到+150
pF
° C / W
°C
°C
公司保留改进产品的设计，功能和可靠性，恕不另行通知。
REV ：一
QW-BG016
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COMCHIP科技有限公司。
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