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型号: CLT335
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内容描述: NPN硅光电晶体管 [NPN Silicon Phototransistor]
分类和应用: 晶体光电晶体管光电晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 122 K
品牌: CLAIREX [ CLAIREX TECHNOLOGIES, INC ]
   
CLT335
NPN硅光电晶体管
0.210 (5.33)
0.190 (4.83)
0.500 ( 12.7 )分
0.190 (4.83)
0.176 (4.47)
®
CLAIREX
0.215 (5.46)
0.205 (5.21)
技术公司
.
2001年3月
集热器
0.158 (4.01)
0.136 (3.45)
BASE
N / C
辐射源
0.100 ( 2.54 )直径
0.060 (1.52)
最大
0.025 (0.64)
最大
0.019 (0.48)
0.016 (0.41)
0.147 (3.73)
0.137 (3.48)
所有尺寸为英寸(毫米)
CASE 17
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
储存温度................................................ ....................... -65 ° C至+ 150°C
± 9 °受光角
工作温度................................................ .................... -65 ° C至+ 125°C
自定义的非球面透镜化的TO- 18
引线焊接温度
(1)
.......................................................................... 260°C
集电极 - 发射极电压.............................................. ........................................ 30V
晶体管基极未结合
测试和表征,在850nm的连续集电极电流.......................................... ................................... 50毫安
连续功率耗散
(2)
.................................................. ................... 250mW的
符合RoHS
注意事项:
描述
1. 0.06 “ ( 1.5毫米)从标题为最大5秒
该CLT335是硅NPN
2.减免线性2.0MW / ℃,在25 ℃的自由空气温度至T
A
= +125°C.
光电晶体管安装在TO -18
封装为特色的自定义
双凸玻璃 - 金属
密封的非球面透镜。窄
接受角可实现出色
上轴耦合。该CLT335是
机械和光谱匹配
以Clairex的CLE335 LED 。为
更多信息,请致电Clairex 。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
典型值
最大
单位
测试条件
I
L
I
首席执行官
V
( BR ) CEO
t
r
, t
f
θ
HP
注意事项:
光电流
(3)
集电极暗电流
集电极 - 发射极击穿
输出上升时间和下降时间
半灵敏度点总角度
1.0
-
30
-
-
2.5
-
-
5.0
18
-
25
-
-
-
mA
nA
V
µs
度。
V
CE
= 5V ,E
e
=0.5mW/cm
2
V
CE
= 10V ,E
e
=0
I
C
=100µA
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V ,R
L
=1kΩ.
3.辐射的源是一个砷化铝镓IRED 850nm处的峰值发射波长下操作。
Clairex保留随时进行修改,以提高设计和提供最好的产品的权利。
修订后的06年3月16日
Clairex技术公司
电话: 972-265-4900
1301东百汇普莱诺
传真: 972-265-4949
德克萨斯州普莱诺75074-8524
www.clairex.com