CLD156
大有效面积
硅平面光电二极管
®
此产品进行测试，以满足
两个CLD156的条件和
该CLD156R 。
CLAIREX
， 2001年5月
技术公司
.
0.365 (9.27)
0.355 (9.02)
0.186 (4.72)
0.164 (4.17)
1.000 （ 25.4 ）最小
0.030 （ 0.76 ） NOM
0.200 (5.08)
0.330 (8.38)
0.320 (8.13)
阴极（很长的）
所有尺寸为英寸（毫米）
CASE 12
特点
•
100 °接收角
•
860nm峰值响应
•
的TO- 5密封封装
•
通过近红外可用于可见光
•
符合RoHS
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
储存温度................................................ ........................- 65 ° C至+ 150°C
工作温度................................................ .....................- 65 ° C至+ 150°C
引线焊接温度
(1)
.............................................................................260°
反向电压...................................................................................................30V
连续功率耗散
(2)
.....................................................................200mW
1.
2.
0.06 “ （ 1.5毫米）从为最大5秒头。
减免线性1.28mW /°C的自由空气温度至T
A
= +150°C.
描述
该CLD156和CLD156R是
0.122" X 0.222"有源区的硅
光电二极管具有高线性度
和低暗电流。在TO- 5
头提供热
环境进行可靠操作
在很宽的温度范围内。宽
接受角在允许使用IR
航空通信，环境光
检测，安全性和监控，
安全系统等。另外
信息，请致电Clairex 。
注意事项：
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
SC
I
D
V
O
V
BR
C
J
t
r
, t
f
Θ
HP
参数
短路电流
(3)
暗电流
开路电压
(3)
民
-
-
-
-
25
-
-
-
典型值
100
-
-
0.35
-
-
-
100
最大
-
50
50
-
-
400
10
-
单位
µA
nA
nA
V
V
pF
µs
度。
测试条件
V
BIAS
= 0V ，E
e
= 5毫瓦/平方厘米
2
V
F
= 100mV的，E
e
= 0
V
R
= 15V ，E
e
= 0
E
e
= 5毫瓦/平方厘米
2
I
R
= 100µA
V
BIAS
= 0V ， F = 1MHz的
R
L
= 1kΩ
反向击穿
结电容
输出上升时间和下降时间
(4)
半灵敏度点总角度
注意事项：
3.
4.
辐射源是磨砂钨灯在2854K绝或等效的色温。
辐射源是由AlGaAs IRED的工作在880nm的和E的峰值发射波长
e
= 20毫瓦/平方厘米
2
.
修订后的06年3月15日
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