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FDC638APZ

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-4.5A,43mΩ
PC脉冲光电二极管晶体管
0 ONSEMI

GCM1885G1H5R0DA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

IPB65R155CFD7

英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD7 采用 D2PAK 封装,尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品,该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品,IPB65R155CFD7 的栅极电荷更低,关断行为得以改善,反向恢复电荷较低,从而可显著提高效率与功率密度,且击穿电压可额外提高 50V。
电站服务器电信栅极
0 INFINEON

GA343DR7GD472KW01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM1555C2D1R6CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

SPP18P06P H

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
暂无信息
0 INFINEON

FDD5690

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,30A,27mΩ
开关脉冲晶体管
0 ONSEMI

IKFW60N60DH3E

IGBT HighSpeed 3
双极性晶体管
0 INFINEON

V23990-P589-A418Y-PM

Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
暂无信息
0 VINCOTECH

GQM0335G2D5R3BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FQU4N50TU-WS

N 沟道 QFET® MOSFET 500V,2.6A,2.7Ω
暂无信息
0 ONSEMI

GCM31M5C1H513GA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0332C2A330GA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM1555C1H1R5JB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GRM1555C1H5R7CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA