CS5151
应用信息：继续
追踪3 = 12V输入电压（V
CC1
）和V
CC2
） （ 10V / DIV ）。
跟踪4 = 5V输入（ 2V / DIV ）。
迹线1 =稳压器输出电压（ 1V / DIV 。 ）
跟踪2 =电源良好信号（ 2V / DIV ）。
通道3 = V
门
M1 = V
门
- 5V
IN
通道2 =电感开关节点
图14 ：在上电期间CS5151演示板。电源良好
当输出电压达到1.70V的信号被激活。
图15 ： CS5151栅极驱动波形描绘了轨至轨摆动。
选择外部元件
的CS5151可以与各种各样的外部被使用
功率元件，以优化的成本和性能
特定设计。以下信息可用于
作为一般准则，以协助他们的选择。
NFET功率晶体管
两个逻辑电平与标准的MOSFET都可以使用。该
参考设计源于12V电源栅极驱动
这是一般可用大多数计算机系统和
使用逻辑电平MOSFET 。电荷泵可以很容易地
落实支持5V系统只。多种
的MOSFET可以并联，以减少损失，提高
效率和热管理。
适用于MOSFET的栅极电压取决于应用程序
阳离子电路使用。栅极驱动器输出被规定为
当处于低状态，并把车开到内的地面1.5V
内高状态的偏置电源时的2V 。但在实践
蒂斯， MOSFET栅极将被驱动轨至轨因
过冲引起的电容性负载其呈现给
控制器IC 。对于典型的应用，其中V
CC1
= V
CC2
= 12V和5V作为源的调节器的输出
目前，以下栅极驱动器提供;
V
门
= 12V - 5V = 7V （参见图15） 。
的MOSFET的性能的最重要的方面是
RDS
ON
，其效果调节器效率和MOSFET
热管理需求。
由MOSFET和肖特基消耗的功率
二极管可估计如下：
开关MOSFET ：
功率= I
LOAD2
×
RDS
ON
×
占空比
肖特基二极管：
功率= V
前锋
×
I
负载
×
（ 1 - 占空比）
占空比=
V + V
IN
前锋
- (I
负载
×
RDS
ON开关FET的
)
V
OUT
+ V
前锋
关闭时间电容（C
关闭
)
了C
关闭
定时电容设置的调节关断时间：
T
关闭
= C
关闭
×
4848.5
当V
FFB
销小于1V时，电流充电的
C
关闭
电容减小。扩展的关断时间，可以CAL-
culated如下：
T
关闭
= C
关闭
×
24,242.5.
关闭时间将通过T确定
关闭
时间，或
超时计时器，以较长者为准。
对于占空比的前述方程也可以用来
计算出调节器的开关频率，并选择
10
CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
