CS5150
应用信息：继续
输入和输出电容器
这些组件必须选择并小心放置
得到最佳结果。电容器应选择亲
韦迪接受的纹波输入电源线和法规
器的输出电压。输入电容主要规格
是他们的纹波电流额定值，而ESR是输出重要
电容器。为了获得最佳的瞬态响应，组合
低价值/高频放置在靠近大容量电容器
负载是必需的。
输出电感
电感器应根据它的电感来选择
电流能力，并且直流电阻。增加电感
器值将降低输出电压纹波，但降低
瞬态响应。
热管理
对于功率MOSFET和二极管的热考虑
为了保持良好的可靠性，其结温
半导体部件的TURE应保持一个
最大为150℃或更低。热阻抗（ junc-
灰至环境）需要满足这个要求可以是
计算公式如下：
T
结（MAX）中
- T
环境
热阻抗 -
动力
甲散热片可被添加到的TO-220组件，以减少
它们的热阻抗。许多PC板布局
如热过孔和附加铜箔技术
面积可用于改善功率处理能力
表面贴装元件。
EMI管理
作为大电流的结果而打开和关闭
在高频率，开关稳压器产生的噪声为
结果它们的正常运行。当设计
符合EMI / EMC规定，额外的COM
可以加入ponents以减少噪音。这些
不需要用于调节器的操作部件和
实验结果可以允许它们被消除。该
输入滤波电感可以不必需的，因为大容量滤波
和旁路电容，以及其他负载位于
板将趋于减小对税务局局长调节器的di / dt的影响
CUIT板和输入电源。的安置
功率器件，以最大程度地减少路由距离会
有助于减少排放量。
布局指南
1.将12V的滤波电容旁边的IC和连接
电容的接地引脚11 （地线） 。
2.连接引脚11（地线）与一个单独的跟踪到
的5V输入电容接地端。
3.将引脚8下一个快速反馈的滤波电容（V
FFB
)
并配有独立的，宽的走线连接的接地端子
直接到引脚14 （ LGND ） 。
4.将补偿的接地端子
电容器直接到快速反馈滤波器的接地
电容器，以防止共模噪声影响
PWM比较器。
5.将所述输出滤波电容器（多个）尽可能靠近负载为
可能的连接接地端子的引脚14 （ LGND ） 。
6.为了实现自适应电压定位，连接
慢速和快速反馈引脚16 （V
FB
）和图8 （Ⅴ
FFB
）以
在电感端稳压器的输出权。连
通过跟踪并提示电感器的输出电容器
降脂性：
R
跟踪
=
80mV
I
最大
这使输出电压为+ 40mV的空载，
和-40mV带满负荷，提高稳压器的瞬态
反应。此跟踪必须足够宽，以使全
输出电流。 （典型的曲线是1.0英寸长， 0.17英寸
宽）。应当小心，以尽量减少任何额外的
反馈连接点之后的损失，最大限度稳压
ulation 。
7.如果DC的监管是要优化（为代价
降低瞬态调节） ，自适应电压位置 -
荷兰国际集团可以通过连接到V被禁用
FB
直接销到
装入一个单独的跟踪（遥感） 。
8.将5V的输入电容接近开关MOSFET
与同步MOSFET 。
路线栅极驱动信号V
门（H）的
（引脚10 ）和V
门（L）的
（当使用时销12 ）与迹线是最低0.025
英寸宽。
V
CC
0.1µF
15
向的负端
输入电容
11
1.0µF
V
COMP
100pF
V
FFB
8
5
软启动
OFF时间
到的输出电容的负极端子
2µH
2µH
+
图20 ：布局指南
33Ω
1000pF
1200μF ×3 / 16V
图18：过滤器部件
图19 ：输入滤波器
12
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