CS5132
电气特性：0°C <牛逼
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; V
OUT2
² 3.5V, 9V ² V
CC1
² 14V, 9V ² V
CC2
² 14V ; 2.0V DAC码
(V
ID4
= V
ID3
= V
ID2
= V
ID1
= 0, V
ID0
= 1), C
门（H）的
= C
门（L）的
= C
门
=为3.3nF ，C
关闭
= 390pF ;除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入上拉电阻
上拉电压
s
门（H）和门（L）的
高压电流100mA
低压电流100mA
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
25
5.48
50
5.65
100
5.82
k�½
V
测量V
CC1/2
-GATE （L） / （H）的
测量门（ L） / （H ）
1.6V < GATE （H） / （L） < （Ⅴ
CC1/2
Ð 2.5V)
(V
CC1/2
- 2.5V ） > GATE （ L） / （H ） > 1.6V
门（H）的<2V ， GATE （L）的>2V
30
门（L）的<2V ， GATE （H）的>2V
30
抗地线（注1 ）
20
1.2
1.0
40
40
65
65
50
2.1
1.5
80
80
100
100
115
V
V
ns
ns
ns
ns
k�½
s
V
CORE
过电流保护
OVC比较器的失调电压为0V < V
OUT1
² 3.5V
放电阈值电压
V
OUT1
偏置电流
0.2V ² V
OUT1
² 3.5V
OVC锁存放电电流
V
COMP
= 1V
s
PWM比较器1
PWM比较器的失调电压为0V ² V
FFB1
² 3.5V
瞬态响应
V
FFB1
= 0〜 3.5V
0.2V ² V
FFB1
² 3.5V
V
FFB1
偏置电流
s
C
OFF1
关断时间
充电电流
放电电流
s
电源就绪输出
PWRGD灌电流
PWRGD阈值上限
PWRGD阈值下限
PWRGD输出低电压
77
0.2
-7.0
100
86
0.25
0.1
800
101
0.3
7.0
2500
mV
V
µA
µA
0.95
-7.0
1.06
200
0.1
1.18
300
7.0
V
ns
µA
1.0
V
COFF1
= 1.5V
V
COFF1
= 1.5V
1.6
550
25
2.3
µs
µA
mA
V
FB1
= 1.7V, V
PWRGD
= 5V
％标称DAC的代码
％标称DAC的代码
V
FB1
= 1.7V ，我
PWRGD
= 500µA
0.5
5
-12
4
8.5
-8.5
0.2
15
12
-5
0.3
mA
%
%
V
s
过电压保护（ OVP ）输出
OVP源电流
OVP = 1V
OVP阈值
％标称DAC的代码
OVP上拉电压
I
OVP
= 1mA时， V
CC1
- V
OVP
s
V
I / O
开关稳压误差放大器
V
FB2
= 0V
V
FB2
偏置电流
COMP2源电流
COMP2 = 1.2V至3.6V ; V
FB2
= 1V
COMP2灌电流
COMP2 = 1.2V ; V
FB2
=1.4V;
开环增益
C
COMP2
= 0.1µF
1
5
10
8.5
1.1
25
12
1.5
mA
%
V
-1.0
15
30
0.1
30
60
80
1.0
60
120
µA
µA
µA
dB
5
CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
