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    CS51311GDR14 参数 Datasheet PDF下载

    CS51311GDR14图片预览
    型号： CS51311GDR14
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： CPU同步降压控制器的12V和5V的应用 [Synchronous CPU Buck Controller for 12V and 5V Applications]
    分类和应用： 稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器光电二极管
    文件页数/大小： 19 页 / 239 K
    品牌： CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号CS51311GDR14的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CS51311GDR14的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CS51311GDR14的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CS51311GDR14的Datasheet PDF文件第10页浏览型号CS51311GDR14的Datasheet PDF文件第12页浏览型号CS51311GDR14的Datasheet PDF文件第13页浏览型号CS51311GDR14的Datasheet PDF文件第14页浏览型号CS51311GDR14的Datasheet PDF文件第15页  
    应用信息：继续
    电容器的数目=
    ESR
    帽
    ,
    ESR
    最大
    占空比= D =
    V
    OUT
    + (V
    HFET
    + V
    L
    + V
    垂
    )
    ,
    V
    IN
    + V
    LFET
    −
    V
    HFET
    −
    V
    L
    CS51311
    哪里
    ESR
    帽
    =每个电容的最大ESR（在指定的
    制造商的数据表） ;
    ESR
    最大
    =最大允许ESR 。
    然后由于ESR的实际输出电压偏差可
    验证和比较，通过设计 - 分配值
    ER ：
    ∆V
    ESR
    =
    ∆I
    OUT
    ×
    ESR
    最大
    类似地，最大允许的ESL由下式计算
    下式：
    ESL
    最大
    =
    ∆V
    ESL
    ×
    ∆t
    ∆I
    ,
    哪里
    V
    OUT
    =降压稳压器的输出电压;
    V
    HFET
    =高侧FET的电压，由于与R降
    DS （ ON）
    ;
    V
    L
    =由于导线电感输出电感器压降
    直流电阻;
    V
    垂
    =下垂（电流检测）电阻上的电压降;
    V
    IN
    =降压稳压器的输入电压;
    V
    LFET
    =由于与R低侧FET的电压降
    DS （ ON）
    .
    Step3a ：计算开关导通时间
    开关导通时间（时间，在此期间的开关
    MOSFET同步降压拓扑结构进行）的
    由下式确定：
    T
    ON
    =
    占空比
    ,
    F
    SW
    哪里
    ΔI /ΔT
    =负载电流的转换速率（高达20A / μs）内;
    ∆V
    ESL
    =变化引起的输出电压ESL 。
    实际的最大可允许的ESL可由下式确定
    用公式：
    ESL
    最大
    =
    ESL
    帽
    输出电容器的数量
    ,
    其中， ESL
    帽
    =每最大的电容器ESL （这是估
    编一个10
    ×
    12毫米铝电解电容器
    4nH的约封装电感的） 。
    由于实际马克西实际输出电压的偏差
    妈妈ESL就可以得到验证：
    ∆V
    ESL
    =
    ESL
    最大
    ×
    ∆I
    ∆t
    .
    其中f
    SW
    =由所选择的调节器的开关频率
    设计师。
    更高的工作频率允许使用更小的
    电感和电容值。然而，这是常见的
    选择较低的频率运转，因为更高的频
    昆西导致较低的效率，由于MOSFET的栅极
    电荷损失。另外，在使用较小的电感器
    更高的频率产生更高的纹波电流，高
    输出电压纹波，并在轻负载下的效率
    电流。
    步骤3b ：开关关断时间的计算
    开关关断时间（时间在开关
    的MOSFET不导通），可由下式确定：
    T
    关闭
    =
    1
    F
    SW
    −
    T
    ON
    ,
    设计师现在必须确定输出的变化
    在转录过程中的电压，由于输出电容放电
    过性：
    ∆V
    帽
    =
    ∆I
    ×
    ∆t
    TR
    C
    OUT
    ,
    了C
    关闭
    电容值，以便设定被选择
    关断时间，T
    关闭
    上面：
    C
    关闭
    =
    期
    ×
    (1
    −
    D)
    ,
    3980
    哪里
    ∆t
    TR
    =输出电压的瞬态响应时间
    （由设计者指定） ;
    ∆V
    帽
    =由于输出电容的输出电压偏差
    器放电;
    ∆I
    =负载的一步。
    在输出电压的总变化作为负荷的结果，电流
    租金瞬态可以通过下面的公式进行验证：
    ∆V
    OUT
    =
    ∆V
    ESR
    +
    ∆V
    ESL
    +
    ∆V
    帽
    第3步：选择占空比，
    开关频率，开关导通时间（T
    ON
    )
    和开关关断时间（T
    关闭
    )
    降压转换器的占空比（包括寄生
    损失）是由下式给出：
    11
    哪里
    3980是CS51311的特征因子;
    D =占空比。
    第4步：选择输出电感器
    电感器应根据它的电感来选择
    电流能力，并且直流电阻。增加电感
    器值将降低输出电压纹波，但降低
    瞬态响应。有许多因素要考虑
    选择电感器，包括成本，效率， EMI和
    便于制造。电感器必须能够处理
    的峰值电流在开关频率不饱和
    等级，并且在卷绕所述的铜电阻应
    保持尽可能低，以最小化电阻功率损耗。
    有多种材料和类型的磁
    芯可用于这种应用。其中
    有铁氧体，钼坡莫合金铁芯（ MPP ） ，非晶
    铁粉芯。铁粉芯是非常的COM
    常用的。铁粉芯是非常适合的，因为

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