CS5127
应用信息：继续
放电时间通常是电荷小于10 ％
时间。外部C成分
T
和R
T
允许开关
频率可以由用户在为10kHz之间的范围内设置
和500kHz的。 ç
T
可以选择第一基于尺寸和成本
约束。对于正确的操作温度过高时，
的R值
T
should be chosen within the range from 20k�½
to 40k�½. Any type of one-eighth watt resistor will be ade-
保有足够。的R值越大，
T
将降低最大
占空比咯。这是因为接收器的电流上
了C
T
导线具有一个指数关系到电荷
电流。较高的充电电流会放电了C
T
领导
电容器相比更迅速地降低电流和更短的
放电时间会导致较高的最大占空
周期。
一旦振荡器频率和C的值
T
已
的R选择所需的值
T
可以计算按下列方法
低点：
1.88
R
T
=
(f
OSC
)(C
T
)
应进行所有的纹波电流。 RMS纹波电流
可以大到一半的负载电流，并且可以是calcu-
迟来的：
I
纹波（有效值）
= I
OUT
V
OUT
(V
IN
- V
OUT
)
V
IN2
峰值电流的要求，负载瞬态，周围operat-
荷兰国际集团的温度和产品的可靠性要求所有
在选择此组件中发挥作用。电容的ESR和
最大负载电流的步骤将确定马克西
电源电压的期间，妈妈的瞬态变化
正常操作。滴在电源电压由于
负载瞬态响应可表示为：
AEV = I
纹波（有效值）
´
ESR
电容器的类型也是一个重要的考虑因素。
铝电解电容器的成本低，但他们
通常具有低纹波电流额定值。选择较大
电容的值将增加的纹波电流
等级，但物理尺寸将增加。大小CON-
straints可以消除铝电解来回
考虑。铝电解通常有
更短的寿命，因为电解蒸发
在操作过程中。钽电解电容器具有
从浪涌电流故障，和人为被关联
这些组件ufacturers推荐的降额
浪涌应用1 ：电容电压比2 。一些
制造商们的产品线专门测试
承受高浪涌电流。 AVX TPS电容
一种这样的产品。陶瓷电容表现良好，但
他们也大，相当昂贵。
其中f
OSC
在赫兹振荡器的频率，C
T
给出
以法拉为单位，和R的值
T
给出了欧姆。 ESR的影响
是可忽略的，因为在充电和放电电流均
相当小的，并且对于C的任何类型的电容器是适当
T
.
选择补偿电容
如前面所指出的，误差放大器不CON组
大大赞扬瞬态响应，但它确实影响
抗干扰能力。快速反馈环路的输入进行比较
对COMP引脚电压。直流偏置于V
FFB
针
可直接从输出电压提供，或
通过一个电阻分压器，如果输出电压大于
2.9V 。直流精度所需的百分比值传输
拉泰什直接在V
FFB
销，并且最小COMP引脚
电容值可以计算出：
C
COMP
=
(16mA)(T
OSC
)
(V
FFB
直流偏置电压） （公差）
启动
在启动时，输出切换不会发生，直到2
欠压锁定释放。第一个锁定监视器
在V
IN
铅电压。无IC内部的活动，直到发生
V
IN
引线电压超过V
IN
导通阈值。这
门槛一般是8.4V 。一旦这个条件被满足，则
片内基准导通。作为基准电压开始
上升，第二欠压锁定禁用开关
直到V
REF
铅电压约为3.5V 。门引线
在低状态，直到两锁定被释放。
作为切换开始时，在V
FB
引线电压低于下
输出电压。这将导致误差放大器源
在COMP领先的电容电流。该COMP电压导线
年龄将开始上升。随着COMP铅电压开始
上升，它设置阈值电平上升沿V
FFB
领导
电压跳闸的PWM比较器和终止
开关管导通。这个过程的结果在软起动间
VAL 。对V的直流偏置电压
FFB
将决定最终
COMP电压在启动后，和软启动时间可以
近似计算为：
T
软启动
=
V
FFB
´
C
COMP
I
COMP （ SOURCE ）
当f
OSC
= 200kHz的，V
FFB
直流偏置电压是2.8V和容
ANCE是0.1 ％ ，C
COMP
= 28.6μF 。这是最低的值
的COMP引脚电容应该使用。这是一个很好的
修炼到保护带在calcula-使用的宽容
化。电容值越大，将改善噪音
免疫力和100μF电容会很好地工作在最
应用程序。
电容器的类型不是关键的，因为该放大器
16毫安输出灌电流到一个相当大的值，或
宽范围的ESR通常会导致一个非常小的直流
输出电压误差。 COMP引脚电容也确定了
矿山软启动间隔的长度。
选择输入旁路电容
输入旁路电容减少了纹波电流
输入电源，有助于降低EMI ，并提供
充电水库，以改善瞬态响应。该capac-
itor纹波电流额定值地方上的最大制约因素
元件选择。输入旁路电容器网络
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CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
