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    CS5126XD8 参数 Datasheet PDF下载

    CS5126XD8图片预览
    型号： CS5126XD8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高性能，集成的电流模式PWM控制器 [High Performance, Integrated Current Mode PWM Controllers]
    分类和应用： 稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器光电二极管信息通信管理
    文件页数/大小： 10 页 / 174 K
    品牌： CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号CS5126XD8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CS5126XD8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CS5126XD8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CS5126XD8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CS5126XD8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CS5126XD8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CS5126XD8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CS5126XD8的Datasheet PDF文件第9页  
    CS5124/6
    电气特性： -40°C
    ≤
    T
    J
    ≤
    125°C, -40°C
    ≤
    T
    A
    ≤
    105 ° C， 7.60V
    ≤
    V
    CC
    ≤
    20V ， UVLO = 3.0V ，我
    SENSE
    = 0V,
    C
    V（ CC ）
    = 0.33μF ，C
    门
    = 1nF的（ ESR = 10Ω ） ，C
    SS
    = 470pF的ç
    V（ FB ）
    = 100pF的
    ,
    除非另有说明。
    参数
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    s
    V
    CC
    钳位和偏置引脚
    V
    CC
    钳位电压
    BIAS最小电压
    BIAS钳
    s
    在200kHz振荡器
    工作频率
    最大占空比钳位
    CS5124而已。连接一个NFET如下： BIAS = G ，V
    CC
    = S ，V
    IN
    = D.
    36V
    ≤
    V
    IN
    ≤
    60V ， 220nF的
    ≤
    C
    SS
    ≤
    500nF ， R = 500K
    测量电压的偏压：
    10V
    ≤
    V
    CC
    ≤
    20V和50μA
    ≤
    I
    BIAS
    ≤
    1mA
    随着BIAS引脚下沉1毫安
    CS5126仅
    175
    78
    12
    200
    82.5
    18
    225
    85
    23
    千赫
    %
    毫伏/微秒
    7.275
    1.6
    12
    7.9
    2.8
    15
    8.625
    4
    20
    V
    V
    V
    斜率补偿
    （正常操作）
    斜率补偿
    （同步操作）
    （注1 ）
    SYNC输入阈值电压
    SYNC输入阻抗
    测量SYNC = 1V &10V
    s
    400kHz的振荡器
    工作频率
    最大占空比钳位
    斜率补偿
    s
    软启动
    软启动充电电流
    软启动放电电流
    V
    SS
    电压时， V
    FB
    开始上升
    V
    FB
    = 300mV的
    CS5124仅
    7
    1
    50
    12
    2
    120
    16
    3
    230
    毫伏/微秒
    V
    kΩ
    360
    80.0
    15
    400
    82.5
    21
    440
    85.0
    26
    千赫
    %
    毫伏/微秒
    7
    0.5
    1.40
    4.7
    200
    10
    10.0
    1.62
    4.9
    275
    13
    1.80
    µA
    mA
    V
    V
    mV
    山顶软启动充电电压
    谷软启动放电电压
    s
    电流检测
    CS5124仅
    第一个电流检测门限
    在最大占空比。
    第二电流检测门限
    I
    SENSE
    到GATE支柱。延迟
    前沿消隐时间
    内部偏移
    s
    电流检测
    第一个电流检测门限
    第二电流检测
    门槛
    I
    SENSE
    到GATE支柱。延迟
    前沿消隐时间
    内部偏移
    0〜 700mV的脉冲进入我
    SENSE
    （消隐时间后）
    0〜 400mV的脉冲进入我
    SENSE
    （注1 ）
    CS5126仅
    在最大占空比
    400
    170
    250
    60
    90
    195
    275
    90
    130
    60
    215
    315
    130
    180
    mV
    mV
    ns
    ns
    mV
    300
    485
    60
    110
    335
    525
    90
    175
    125
    360
    575
    130
    210
    mV
    mV
    ns
    ns
    mV
    0〜 800mV的脉冲进入我
    SENSE
    （消隐时间后）
    0〜 550mV脉冲进入我
    SENSE
    （注1 ）
    3

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