CS4124
应用信息：继续
超过我
LIM
，内部锁存器设置和输出拉
MOSFET的低，为的振荡的其余部分的栅极
荡器周期（故障模式） 。在下一循环的开始，则
锁存器复位，并在IC恢复到运行模式，直至
另一种故障。如果出现在一个给定的若干缺点
一段时间内，将IC “超时” ，并禁止MOSFET导
FET为很长一段时间，让它冷静下来。这是
收取了C完成
FLT
电容器每次一个
在目前的条件下发生。如果一个周期的推移，没有
过电流故障发生，甚至更小的量的
将负责从C中删除
FLT
。如果有足够的故障发生
在一起，最终ç
FLT
将充电至2.4V和
故障锁存器将被设定。故障锁存器将不会被重置，直到
C
FLT
放电至0.6V 。这一行动将无限期延续
奈特雷如果故障依旧。
关断时间和时间由以下设置：
关闭时间= C
FLT
×
2.4V - 0.6V
4.5µA
2.4V - 0.6V
I
AVG
睡眠状态
该设备将进入一个低电流模式（ < 275μA ）
当CTL铅被带到小于0.5V 。所有功能
被禁止在该模式下，除了调节器。
抑制
当抑制大于2.5V的内部锁存器
置和外部MOSFET将被关断的
其余振荡器周期。该锁存器复位，然后在
下一个周期的开始。
过压关断
IC将过压时禁止输出
事件。这是一个实时的故障事件，并没有设置
内部锁存器，因此是独立的振荡器的
定时（即，异步） 。还有就是325mV （典型值）
滞后的过压功能。有没有不足
欠压锁定。该装置将关闭，一旦摆好
它运行的余量。
电池反接
该CS4124将无法生存反向电池状况。一
串联二极管所需的电池和V之间
CC
导致反向电池。
负载突降
10Ω的电阻（R
S
）被放置在一系列V
CC
限制本
目前进入IC在40V峰值瞬态条件。
在时间= C
FLT
×
其中：
I
AVG
= (295.5µA
×
直流） - [ 4.5μA
×
（ 1 - DC ） ]
I
AVG
= (300µA
×
DC ） - 4.5μA
DC = PWM占空比
升压开关电源
该CS4124具有一个集成的升压型电源
该充电外部高边MOSFET的栅极
到大于5V高于V
CC
。三根引线被用于
升压。他们是升压， PMP和SNI 。在PMP
铅是一个达林顿并列NPN型功率管的集电极
体管。该器件在其上一次充电电感。
升压铅是输入到芯片从外部reser-
案中案电容。 SNI部引线是电源的发射极
NPN和外部连接到R
SNI
电阻器。
该电源由振荡器控制。在
开始一个周期的RS触发器设置内部电源
NPN晶体管导通，能量开始建立
在电感中。第r
SNI
电阻设置峰值电流
电感器由跳闸比较器，当电压
在电阻是450mV 。触发器被复位，并且
电感器提供其储存的能量向负载供电。纹波
电压（V
纹波
）在升压铅为C控制
BOOST
.
缓冲电路，由一个串联电阻和电容的
器，需要抑制电感的铃声。一
建议4Ω价值的R
SNI
.
齐纳二极管所需的升压输出电压之间
和电池。这将夹住提升导致了试样
电池上方田间值，以防止损坏IC 。
一个9伏的齐纳二极管建议。
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CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
