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2SK3541SPT 参数 Datasheet PDF下载

2SK3541SPT图片预览
型号: 2SK3541SPT
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 158 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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额定值特性曲线( 2SK3541SPT )
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 10µA
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
T
C
=125°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
30
1
0.5
1
-1
V
µA
mA
µA
µA
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
V
DS
= 3V ,我
D
= 100 µA
0.8
5.0
7.0
20
1.65
8.0
13
V
静态漏源导通电阻V
GS
= 4.0 V,I
D
= 10毫安
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 1.0毫安
mS
g
FS
正向跨导
V
DS
= 3.0 V,I
D
= 10m的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
13
9
4
pF
V
DD
= 5.0 V ,R
L
= 500
,
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 5.0 V,
R
= 10
V
DD
= 5.0 V ,R
L
= 500
,
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 5.0 V,
R
= 10
15
35
80
80
nS
打开-O FF时间
nS