2SD1664PTP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1664PTP
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内容描述：	[Transistor,]
分类和应用：	晶体开关晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 313 K
品牌：	CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

额定值特性曲线（ 2SD1664PT ）

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

CESAT

参数

条件

−

分钟。

−

500

390

400

典型值。

150

典型值。

兆赫

马克斯。

单位

集电极 - 基极击穿电压余

= 0; I

= 50微安

集电极 - 发射极击穿电压余

= 0; I

= 1毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压

集电极电容

跃迁频率

= 0; I

= 50微安

= 0; V

= 20 V

= 0; V

= 4 V

= 3V ;注1

= 100毫安

= 0 mA时，我

-50毫安

-500

= i

= 0; V

= 10 V ; F = 1 MHz的

= -50毫安; V

= 5 V ;

F = 100 MHz的

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

µs; δ ≤

0.02.

2. hFE参数，R等级： 82 〜 180

P级： 120 〜 270

Q级： 180 〜 390

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