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    2SB717PT 参数 Datasheet PDF下载

    2SB717PT图片预览
    型号： 2SB717PT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅功率晶体管 [PNP Silicon Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 117 K
    品牌： CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
     浏览型号2SB717PT的Datasheet PDF文件第1页  
    额定值特性曲线（ 2SB717PT ）
    2SB717PT
    特征
    电气特性
    （在T
    A
    = 25
    o
    C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极发射极截止电流
    条件
    I
    C
    =-100uA
    I
    C
    = -10mA ;注3
    I
    E
    =-100uA
    I
    E
    =0; V
    CB
    =-10V
    I
    C
    =0; V
    EB
    =-4V
    V
    CES
    =-10V
    I
    C
    = -10mA ; V
    CE
    =-2V
    I
    C
    = -100mA ; V
    CE
    =-2V
    I
    C
    = -3000mA ; V
    CE
    =-2V
    I
    C
    = -8000mA ; V
    CE
    =-2V
    I
    C
    = -10A ; V
    CE
    =-2V
    I
    C
    = -100mA ;我
    B
    =-10mA
    I
    C
    = -1000mA ;我
    B
    =-10mA
    I
    C
    = -3000mA ;我
    B
    =-50mA
    I
    C
    = -3000mA ;我
    B
    =-50mA
    I
    C
    = -3000mA ; V
    CE
    =-2V
    V
    CB
    =-10V;
    f=1MHz
    I
    C
    = -50mA ; V
    CE
    =-10V;
    f=100MHz
    I
    C
    = -2A ; V
    CC
    =-6V;
    I
    B1
    =I
    B2
    =50mA
    I
    C
    = -2A ; V
    CC
    =-6V;
    I
    B1
    =I
    B2
    =50mA
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    CES
    分钟。
    -12
    -12
    -5
    -
    -
    -
    300
    300
    160
    60
    45
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    80
    -
    -
    TYPE
    -35
    -25
    -8.5
    -
    -
    -
    475
    450
    240
    100
    70
    -12
    -110
    -230
    -0.92
    -0.85
    21
    110
    70
    130
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    -0.1
    -
    -
    -
    -
    -
    -20
    -150
    -320
    -1.05
    -1.0
    30
    -
    -
    -
    单位
    伏
    伏
    伏
    uA
    uA
    uA
    直流电流增益;注3
    h
    FE
    集电极 - 发射极饱和
    电压;注3
    基射极饱和电压;注3
    基射极导通电压;注3
    输出电容
    跃迁频率
    开启时间
    打开-O FF时间
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    V
    BEON
    C
    敖包
    f
    T
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    mVolts
    伏
    伏
    pF
    兆赫
    nS
    nS
    记
    脉冲条件下测得的3 。脉冲宽度= 300US 。占空比
    ≤
    2%

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