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2SB1386RGP 参数 Datasheet PDF下载

2SB1386RGP图片预览
型号: 2SB1386RGP
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内容描述: [Transistor,]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 367 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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额定值特性曲线( 2SB1386PPT )
特征
(在T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
I
C
=-50uA
I
C
=-1mA
I
E
=-50uA
I
E
=0; V
CB
=-20V
I
C
=0; V
EB
=-5V
V
CE
= -2V ;注1
I
C
=-0.5A
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
分钟。
-30
-20
-6
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-0.5
-0.5
单位
uA
uA
o
直流电流增益
h
FE
82
-
390
集电极 - 发射极饱和
电压
输出电容
跃迁频率
I
C
= -4A ;我
B
=-0.1A
I
E
= IE = 0 ; V
CB
=-20V;
f=1MHz
I
E
= -0.05A ; V
CE
=-6.0V;
f=100MHz
V
CESAT
C
C
f
T
-
-
-
-0.35
60
120
-1.0
-
-
pF
兆赫
注意:
1.率为HFE( 2 )分类P: 82 〜180 ,Q : 120〜 270 , R: 180〜 390 。