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2SB1386QGP 参数 Datasheet PDF下载

2SB1386QGP图片预览
型号: 2SB1386QGP
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内容描述: [Transistor,]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 367 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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额定值特性曲线( 2SB1386PPT )
图1发射极接地传播
特征
-10
-5
图2接地发射极输出
特征
-5
-50mA
-45mA
图3直流电流增益与
集电极电流(I)
5000
2000
直流电流增益:H
FE
V
CE = -
2V
Ta=100
o
C
25
o
C
-25
o
C
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流: IC
(A)
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-5m
-2m
-1m
0
-4
TA = 25℃
-30mA
-25mA
-20mA
-15mA
o
Ta=25
o
C
1000
500
200
100
50
20
10
V
CE
=-5V
-2V
-1V
-3
-40mA
-35mA
-10mA
-2
-5mA
-1
I
B
0mA
-1.6
-2.0
-0.2
-0.4
-0.6 -0.8
-1.0
-1.2
-1.4
0
0
-0.4
-0.8
-1.2
5
-1m
-0.01
-0.1
-1
-10
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流( II )
5000
2000
直流电流增益:H
FE
图5直流电流增益与
集电极电流(III)的
5000
2000
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
图6集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流(I)
-2
-1
-0.5
Ta=25
o
C
V
CE = -
1V
Ta=100
o
C
25
o
C
-25
o
C
V
CE
=-2V
Ta=100
o
C
25
o
C
-25
o
C
直流电流增益:H
FE
1000
500
200
100
50
20
10
5
-1m
-0.01
1000
500
200
100
50
20
10
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-2m
-0.01
I
C
/I
B=
50
40
30
10
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
5
-1m
-0.01
-0.1
-1
-10
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图7集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流( II )
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
-2
-1
-0.5
Ta=100
o
C
25
o
C
-25
o
C
图8集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流(III)的
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B=
10
I
C
/I
B=
30
-2
-1
-0.5
图9集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流(IV)的
I
C
/I
B=
40
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-2m
-0.01
Ta=100
o
C
25
o
C
-25
o
C
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-2m
Ta=100
o
C
25
o
C
-25
o
C
-0.1
-1
-10
集电极电流:我
C
(A)
-0.01
-0.1
-1
-10
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)