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2SB1197KPTR 参数 Datasheet PDF下载

2SB1197KPTR图片预览
型号: 2SB1197KPTR
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内容描述: [Transistor,]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 86 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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额定值特性曲线( 2SB1197KPT )
热特性
符号
R
日J-一
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
单位
K / W
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
c
f
T
参数
条件
分钟。
-40
-32
-5
120
12
典型值
.
50
-500
-500
390
-500
30
200
典型值。
马克斯。
V
V
V
nA
nA
单位
集电极 - 基极击穿电压余
E
= 0; I
C
= -50微安
集电极 - 发射极击穿电压余
B
= 0; I
C
= -1毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
= 0; I
E
= -50微安
I
E
= 0; V
CB
= - 20 V
I
C
= 0; V
EB
= - 4 V
V
CE
= -3V ;注1
I
C
= -100毫安
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
0
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= -10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= - 2 0 V ;
F = 100 MHz的
mV
pF
兆赫
1.脉冲测试:吨
p
300
µs; δ ≤
0.02.
2. hFE参数:Q盖德: 120 〜 270
ř盖德: 180 〜 390