2SB1132RGP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1132RGP
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内容描述：	[Transistor,]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 284 K
品牌：	CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

额定特性（ 2SB1132PT ）

热特性

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

EBO

CBO

首席执行官

EBO

CESAT

COB

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

µs; δ ≤

0.02.

的hFE ：分类P： 82 〜180 ，Q ： 120〜 270 ， R： 180〜 390

参数

=-4V

=-20V

=-50uA

集电极 - 发射极击穿电压余

=-1mA

发射Cuto FF电流

集电极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

直流电流传输比

集电极 - 发射极饱和

电压

集电极输出电容

跃迁频率

=-50uA

条件

分钟。

−

-40

-32

-5

−

典型值。

−

-200

150

马克斯。

-0.5

−

390

-500

−

单位

= -3V ，我

=-0.1A

=-500mA/-50mA

= 0; V

= -10V ; F = 1 MH ž

= 50毫安; V

= - 5 V ; F = 30 MHz的

兆赫

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