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2SB1132PGP 参数 Datasheet PDF下载

2SB1132PGP图片预览
型号: 2SB1132PGP
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内容描述: [Transistor,]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 284 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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额定值特性曲线( 2SB1132PT )
fig1.DCcurrent增益VS.收藏家
电流( 1)
1000
TA = 25℃
h
FE
-DC电流增益
O
fig2.Collector发射极饱和电压
与集电极电流
-1
-0.5
TA = 25℃
I
C
/I
B
=10
O
h
FE
-DC电流增益
500
V
CE
=-3V
-1V
200
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-1 -2 -5
-50 -100 -200 -500 -1000 -2000
100
50
-1 -2
-5 -10
-20
-50
-100
-200 -500 -1000
I
C
- COLLECTO电流(mA)
-10
-20
I
C
- COLL埃克特电流(mA)
集电极输出电容:玉米棒(PF )
fig3.Gain带宽积VS.
发射极电流
跃迁频率:FT (兆赫)
TA = 25℃
V
CE
=-5V
O
fig4.Collector输出电容VS.
集电极 - 基极电压
100
TA = 25℃
f=1MHZ
I
E
=0A
O
200
100
50
50
20
20
-1 -2
-5
-10
-20
-50
-100
发射电流: IE浏览器(毫安)
10
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
集电极 - 基极电压: VCB ( V)
fig5.Grounded发射极输出
特征
集电极电流: IC (MA )
fig6.Grounded发射器传播
特征
-2.0
-1.5
-1.0
集电极电流: IC (MA )
-500
-200
-100
-50
-20
-10
-5
-2
-1
0
-0.6 -0.8
-3.5
-4.0
-400
-4.5
-5.0
-300
-200
-500
-3.0
-2.5
-0.5
-100
0
I
B
=0mA
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
TA = 25℃
-2.0
O
-0.2 -0.4
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
集电极 - EMITTERVOLTAGE : V
CE
(V)
集电极 - EMITTERVOLTAGE : V
CE
(V)