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2SA1037KPT 参数 Datasheet PDF下载

2SA1037KPT图片预览
型号: 2SA1037KPT
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 172 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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额定值特性曲线( 2SA1037KPT )
2SA1037KPT典型电气特性
Fig.1
−50
集电极电流:我
C
(MA )
发射极接地传播
特征
Ta=100˚C
25˚C
−40˚C
V
CE
=−6V
Fig.2
−10
集电极电流:我
C
(MA )
接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
集电极电流( 1 )
500
Ta=25˚C
V
CE
=−5V
−3V
−1V
−35.0
Ta=25˚C
−20
−10
−5
−2
−1
−0.5
−0.2
−0.1
−31.5
直流电流增益:H
FE
−8
−28.0
−24.5
−6
−21.0
−17.5
200
−4
−14.0
−10.5
100
−2
−7.0
−3.5µA
50
−0.2 −0.4 −0.6 −0.8 −1.0 −1.2 −1.4 −1.6
-1.8
基地发射极电压: V
BE
(V)
0
−0.4
−0.8
−1.2
−1.6
I
B
=0
−2.0
−0.2 −0.5 −1
−2
−5 −10 −20
−50 −100
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
图4直流电流增益与
集电极电流( 2 )
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
图。
5
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
−1
l
C
/l
B
=10
500
Ta=100˚C
25˚C
直流电流增益:H
FE
−1
V
CE
=−6V
Ta=25˚C
−0.5
−0.5
200
−40˚C
100
−0.2
I
C
/I
B
=50
−0.2
Ta=100˚C
25˚C
−40˚C
−0.1
20
10
−0.1
50
−0.05
−0.2 −0.5 −1
−2
−5 −10 −20
−0.05
−0.2 −0.5 −1
−2
−5 −10 −20
−50 −100
−0.2 −0.5 −1
−2
−5 −10 −20
−50 −100
−50 −100
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图7增益带宽积主场迎战
发射极电流
1000
跃迁频率:F
T
(兆赫)
Ta=25˚C
V
CE
=−12V
500
200
100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
发射极电流:我
E
(MA )