2N7002VPT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002VPT
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内容描述：	双N沟道增强MOS FET [Dual N-Channel Enhancement MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 166 K
品牌：	CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。

表面贴装

双N沟道增强MOS FET

电压60伏特

应用

*伺服电机控制。

*功率MOSFET栅极驱动器。

*其他开关应用。

2N7002VPT

当前0.280安培

特征

*小型表面安装型。（ SOT- 563 ）

*高密度电池设计低R

DS （ ON）

*适用于高封装密度。

*坚固可靠。

*高饱和电流能力。

*电压控制的小信号开关。

(1)

(5)

SOT-563

0.9~1.1

0.15~0.3

(3)

(4)

0.50

1.5~1.7

施工

*双N沟道增强

1.1~1.3

记号

* V7

0.5~0.6

0.09~0.18

电路

(6)

(4)

1.5~1.7

(1)

(3)

单位：毫米

SOT-563

绝对最大额定值

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明

2N7002VPT

单位

DSS

漏源电压

DGR

GSS

漏，栅极电压（R

＆ LT ; 1M的

Ω

)

栅源电压 - 连续

- 不重复（ TP ＆ LT ;为50μs ）

280

250

-55到150

300

°C

英镑

最大漏极电流 - 连续

最大功率耗散

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 16"分之1案件从10秒

热特性

热阻，结到环境

833

° C / W

2004-06

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