2N7002SPT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002SPT
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内容描述：	双N沟道增强MOS FET [Dual N-Channel Enhancement MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 140 K
品牌：	CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

额定值特性曲线（ 2N7002SPT ）

电气特性

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= 10 µA

= 60 V, V

= 0 V

=125°C

= 15 V, V

= 0 V

= -15 V, V

= 0 V

0.5

-10

µA

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

基本特征

（注1 ）

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250 µA

= 4.0 V，I

= 100毫安

2.0

1.7

2.5

0.6

0.09

2.5

3.0

4.0

3.75

1.5

静态漏源导通电阻V

= 10 V，I

= 250毫安

漏源电压

= 10 V，I

= 500毫安

= 5.0 V，I

= 50毫安

通态漏电流

= 10 V, V

= 7.5V

DS （ ON）

= 4.5V, V

= 10V

DS （ ON）

正向跨导

= 15 V

DS （ ON）

, I

= 200 mm的

800

500

Ω

1300

700

250

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

关闭

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

= 30 V, V

= 10 V,

= 250毫安

0.6

0.06

1.0

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

1.2

= 30 V ，R

= 200

Ω

= 100毫安， V

= 10 V,

根

= 10

Ω

= 30 V ，R

= 200

Ω

= 100毫安， V

= 10 V,

根

= 10

Ω

7.5

打开-O FF时间

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

= 0 V，I

= 200毫安

（注1 ）

0.85

115

0.8

1.2

注意：

1.脉冲测试：脉冲宽度＆ LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2.0％。

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