2N7002PT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002PT
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 135 K
品牌：	CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

额定值特性曲线（ 2N7002PT ）

典型电气特性

（续）

图7.击穿电压变化

随温度

1.1

图8.体二极管正向电压

变化与漏电流

漏源BREAKDO

WN电压

= 250µA

，反向漏电流（ A）

1.075

1.05

1.025

0.975

0.95

0.925

-50

= 0 V

DSS

归一化

0 .5

TJ = 1 2 5℃

0 .1

0 .0 5

25°C

-5 5 ° C

0 .0 1

0 .0 0 5

-25

100

，结tem温度（ ° C）

125

150

0 .0 0 1

0 .2

0 .4

0 .6

0 .8

1 .2

1 .4

，体二极管正向电压（ V）

图9.电容特性

1.0

图10.栅极电荷特性

ç国际空间站

，栅源电压（V ）

= 3 0 V

电容（pF）

ç OSS

F = 1 MH ž

= 0V

ç RSS

= 2 5 0为m的

，漏源极电压（ V）

0 .1

0 .2

0 .3

，栅极电荷（ NC）

0 .4

0.5

图11 。

图12.开关波形

D（上）

90%

关闭

D（关闭）

90%

OUT

DUT

输出时，VOUT

10%

90%

根

倒

输入，输入电压

10%

50%

脉冲宽度

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