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    2N7002EPT 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002EPT图片预览
    型号： 2N7002EPT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 221 K
    品牌： CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
     浏览型号2N7002EPT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7002EPT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002EPT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7002EPT的Datasheet PDF文件第5页  
    额定值特性曲线（ 2N7002EPT ）
    典型电气特性
    图1.区域特征
    2 .5
    6
    图2.导通电阻变化与门
    电压和漏极电流
    V
    GS
    =4.0V
    4 .5
    V
    GS
    = 10V
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    2
    9.0
    8.0
    7.0
    6.0
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    5
    5 .0
    6 .0
    1 .5
    4
    7 .0
    3
    1
    5.0
    8 .0
    9 .0
    10
    0 .5
    4.0
    3.0
    0
    1
    2
    3
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    4
    5
    2
    0
    1
    0
    0 .4
    0 .8
    1 .2
    I
    D
    ， DRA电流（ A）
    1 .6
    2
    图3.导通电阻变化
    随温度
    6.0
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度
    6
    V
    GS
    = 10V
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = 10V
    漏源导通电阻
    5
    5.0
    I
    D
    = 250米
    R
    DS （ ON）
    归一化
    R
    DS （ ON）
    归一化
    T
    J
    = 1 2 5 °C
    4
    4.0
    3.0
    3
    25°C
    2
    2.0
    -55°C
    1
    1.0
    0
    -5 0
    -2 5
    0
    25
    50
    75
    100
    T，结牛逼EMPERATURE （ ° C）
    J
    125
    150
    0
    0
    0 .4
    0 .8
    1 .2
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    1 .6
    2
    图5.传输特性
    2
    1 .1
    V
    th
    归一化
    门源阈值电压
    图6.门阈值变化与
    温度
    V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = 10V
    1.6
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    T J = -55°C
    25°C
    125°C
    1 .0 5
    1
    1.2
    0 .9 5
    0.8
    0 .9
    0.4
    0 .8 5
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    10
    0 .8
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结tem温度（ ° C）
    125
    150

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