2N7002DSPT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002DSPT
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内容描述：	双N沟道增强MOS FET [Dual N-Channel Enhancement MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 230 K
品牌：	CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

额定值特性曲线（ 2N7002DSPT ）

电气特性

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= 250 µA

= 40 V, V

= 0 V

=125°C

= 20 V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

0.5

100

-100

µA

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

基本特征

（注1 ）

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

= V

, I

= 250 µA

= 10 V，I

= 510米一

= 4.5 V，I

= 350毫安

1.9

1.6

2.5

Ω

4.0

400

D（上）

通态漏电流

正向跨导

= 10 V, V

= 10V

= 10 V，I

= 510毫安

1500

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

关闭

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

= 25 V, V

= 10 V,

= 510毫安

0.19

0.33

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

= 25V

= 250毫安， V

= 10 V,

根

= 25

Ω

= 25 V,

= 250毫安， V

= 10 V,

根

= 25

Ω

打开-O FF时间

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

= 0 V，I

= 200毫安

（注1 ）

0.8

510

1.5

1.2

注意：

1.脉冲测试：脉冲宽度＆ LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2.0％。

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