CTM8B54E/55E/56E/57E
基于EPROM的8位CMOS微控制器
3.1.1 INAR （间接地址寄存器） ： R0
R0并非实际存在的寄存器。它被用作间接寻址指针。任何指令
访问这个寄存器可以访问指向的FSR （ R4 ）的数据。
3.1.2定时器0 （ 8位实时时钟/定时器） ： R1
该寄存器通过一个外部信号边沿到T0CKI引脚，或通过内部指令周期。它可以
进行读或写的任何其它寄存器。
3.1.3 PC（程序计数器） ： R2
该寄存器本身在每个指令周期，除了在图1中所示的以下条件：
LCALL ， LGOTO ：从指令字
RETIA ：从堆栈
LCALL
A10~A0
RETIA
图1.程序计数器
3.1.4状态（状态寄存器） ：
R 3中的内容被列在表1中。
表1.状态寄存器
位
符号
进位/借位
ADDWF
0
C
= 1，发生进
= 0时，未发生进
半进位/半借位
ADDWF
= 1 ，从结果的第4低位发生了进位
1
DC
= 0 ，从结果的第4低位进未发生
SUBWF
= 1 ，从结果的第4低位一个未发生借
= 0 ，从结果的第4低位发生了借
零位：
2
Z
= 1时，逻辑运算的结果是零
= 0 ，逻辑运算的结果不为零
掉电标志位：
3
PD
= 1 ，上电后或执行CLRWDT指令
= 0时， SLEEP指令
时间溢出标志位：
4
5, 6, 7
TO
-
= 1 ，上电后或执行CLRWDT或SLEEP指令
= 0时，WDT时间溢出发生
未使用
描述
SUBWF
= 1，未发生借
= 0时，发生借
Stack1
Stack2
Stack3
Stack4
*所有规格和上述主题显示应用更改，恕不另行通知。
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1.1版十二月26,2001
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