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UPA862TD-T3-A 参数 Datasheet PDF下载

UPA862TD-T3-A图片预览
型号: UPA862TD-T3-A
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内容描述: NPN硅射频晶体管晶体管 [NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频光电二极管ISM频段放大器
文件页数/大小: 12 页 / 255 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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UPA862TD  
UPA862TD NONLINEAR MODEL  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS(1)  
Parameters  
Q1  
Q2  
Parameters  
Q1  
Q2  
NE685  
NE851  
NE685  
NE851  
IS  
BF  
7.0e-16  
109  
1
137e-18  
166  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
0.34  
0.14  
0.5  
0
0.5  
NF  
0.9871  
20.4  
0
VAF  
IKF  
ISE  
NE  
15  
0.75  
0.75  
0
0.19  
7.90e-13  
2.19  
1
50  
0
80.4e-15  
2.4  
0.1  
0.55  
18e-12  
0.1  
2
TF  
2.0e-12  
BR  
28.7  
XTF  
VTF  
ITF  
6
NR  
1.08  
12.4  
infinity  
0
0.9889  
2.7  
3
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
0.005  
0.03  
0
0.021  
532e-18  
1.28  
PTF  
TR  
0
1.0e-9  
1.0e-9  
1.11  
0
2
EG  
1.11  
0
RE  
1.3  
0.45  
XTB  
XTI  
RB  
5
4
3
3
RBM  
IRB  
RC  
3
1
KF (2)  
AF (2)  
0
0
0.005  
10  
0
1
1
1.7  
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
0.4e-12  
0.81  
0.5  
2.4e-12  
0.87  
0.34  
0.18e-12  
0.75  
0.65e-12  
0.52  
(1) Gummel-Poon Model  
(2) AF and KF are 1/f noise parameters and are bias dependant.  
The appropriate values for the 1/f noise parameters (AF and KF)  
shall be chosen from the table below, according to the desired  
current range.  
IC = 5 mA  
54.38e-12  
2.071  
IC =10 mA  
997.6e-12  
2.375  
IC = 15 mA  
500.2e-12  
2.288  
MODEL RANGE  
Frequency: 0.1 to 3.0 GHz  
KF  
AF  
Bias:  
Date:  
VCE =0.5 V to 2.5 V, IC = 1 mA to 20 mA  
08/03  
IC = 5 mA  
4.547e-15  
1.4  
IC =10 mA  
855e-12  
2.551  
IC = 15 mA  
1.73e-9  
2.626  
KF  
AF  
For a better understanding on AF and KF parameters, please refer to AN1026.  
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