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NE85630-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE85630-T1-A图片预览
型号: NE85630-T1-A
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 26 页 / 828 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE856 SERIES  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
NE85600 (CHIP)  
0.35  
0.30  
0.22  
BASE  
EMITTER  
.112  
0.35  
0.07φ  
(Chip Thickness: 140 to 160 μm)  
PACKAGE OUTLINE 18  
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT  
PACKAGE OUTLINE 18  
(SOT-343)  
2.1 ± 0.2  
0.8  
+0.10  
0.3  
-0.05  
(LEADS 2, 3, 4)  
1.25 ± 0.1  
3
2
2
1
3
4
0.65  
0.60  
0.65  
0.65  
2.0 ± 0.2  
0.6  
1.3  
1.25  
+0.10  
-0.05  
0.4  
0.3  
1. Collector  
2. Emitter  
3. Base  
4. Emitter  
0.9 ± 0.1  
1
4
1.7  
+0.10  
-0.05  
0.15  
0 to 0.1  
PACKAGE OUTLINE 19  
PACKAGE OUTLINE 19  
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT  
1.6 ± 0.1  
0.8 ± 0.1  
1.3  
2
2
1.6 ± 0.1 0.5  
+0.1  
0.2  
3
-
+0.10  
-0.05  
0
0.3  
1.0  
LEAD 3 ONLY  
1
3
1.0  
1. Emitter  
2. Base  
0.5  
3. Collector  
0.6  
0.75 ± 0.05  
0.6  
1
+0.1  
0.15  
-0.05  
0 to 0.1  
0.6  
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