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NE85619-T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE85619-T1
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 26 页 / 828 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE856 SERIES  
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS (TA = 25°C)  
90˚  
1
0.8  
1.5  
0.6  
2
45˚  
0.4  
135˚  
3
S
12  
4
S11  
5
0.2  
10  
20  
S
21  
50  
0.2  
0.4  
0.6 0.8  
1
1.5  
2
3
4
5
10 20  
180˚  
0˚  
-50  
0.1 0.2 0.3 0.4  
2.5  
-20  
-10  
S22  
-5  
-4  
-0.2  
5.0  
-3  
7.5  
-0.4  
315˚  
225˚  
Coordinates in Ohms  
Frequency in GHz  
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA  
-2  
10.0  
-0.6  
-1.5  
-0.8  
-1  
270˚  
NE85633  
VCE = 2.5 V, IC = 1 mA  
FREQUENCY  
(MHz)  
50  
S11  
S21  
S12  
S22  
K
MAG1  
(dB)  
MAG  
0.960  
0.942  
0.898  
0.800  
0.717  
0.672  
0.649  
0.627  
0.624  
0.615  
0.601  
ANG  
-12.7  
-25.3  
-49.1  
-87.6  
-115.1  
-135.4  
-150.7  
178.2  
154.3  
131.9  
112.1  
MAG  
3.696  
3.417  
3.168  
2.521  
1.995  
1.632  
1.391  
1.032  
0.842  
0.747  
0.709  
ANG  
MAG  
0.028  
0.052  
0.089  
0.139  
0.155  
0.155  
0.146  
0.131  
0.186  
0.308  
0.448  
ANG  
MAG  
0.988  
0.976  
0.923  
0.804  
0.720  
0.672  
0.642  
0.608  
0.582  
ANG  
-4.5  
-9.6  
-18.5  
-30.4  
-38.0  
-44.0  
-49.6  
-65.0  
-83.0  
173.0  
161.3  
144.6  
117.5  
98.3  
84.3  
72.4  
51.6  
37.3  
83.1  
75.2  
61.8  
42.0  
30.4  
24.9  
23.8  
40.4  
63.7  
65.6  
55.4  
0.01  
0.08  
0.13  
0.27  
0.43  
0.58  
0.75  
1.13  
1.05  
0.92  
0.93  
21.2  
18.2  
15.5  
12.6  
11.1  
10.2  
9.8  
6.8  
5.2  
3.8  
2.0  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
28.0  
21.7  
0.547 -104.1  
0.498 -128.3  
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA  
50  
100  
200  
400  
600  
0.891  
0.876  
0.749  
0.603  
0.533  
0.501  
0.488  
0.478  
0.483  
0.489  
0.499  
-17.8  
-38.9  
-69.4  
10.110  
8.943  
7.442  
4.927  
3.558  
2.802  
2.303  
1.660  
1.337  
1.155  
1.042  
168.5  
0.028  
0.048  
0.075  
0.101  
0.115  
0.126  
0.138  
0.182  
0.249  
0.337  
0.433  
80.7  
71.4  
53.6  
43.1  
41.3  
43.1  
46.3  
53.4  
56.1  
53.6  
46.2  
0.982  
0.916  
0.778  
0.577  
0.476  
0.429  
0.403  
0.370  
0.348  
0.324  
-9.3  
-18.7  
-31.2  
-42.8  
-47.2  
-50.5  
-54.1  
-65.0  
-78.8  
-96.6  
0.06  
25.6  
22.7  
20.0  
16.9  
14.9  
13.5  
12.2  
7.9  
152.8  
131.8  
105.9  
90.7  
79.8  
70.6  
52.6  
37.9  
25.6  
15.4  
0.09  
0.27  
0.48  
0.70  
0.86  
0.98  
1.08  
1.02  
0.95  
0.92  
-111.5  
-136.4  
-153.3  
-165.9  
169.8  
151.2  
132.7  
116.9  
800  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
6.4  
5.3  
3.8  
0.298 -118.9  
VCE = 3.5 V, IC = 10 mA  
100  
200  
0.602  
0.471  
0.389  
0.370  
0.367  
0.369  
0.374  
0.379  
0.391  
0.396  
0.409  
0.425  
-60.1  
-98.0  
19.040  
13.178  
7.545  
5.208  
3.977  
3.229  
2.740  
2.386  
2.131  
1.932  
1.778  
1.512  
138.2  
116.7  
96.1  
85.2  
77.2  
70.0  
63.8  
58.2  
52.6  
47.8  
42.9  
31.6  
0.021  
0.047  
0.072  
0.093  
0.117  
0.140  
0.167  
0.191  
0.215  
0.243  
0.271  
0.337  
88.8  
56.7  
56.1  
60.0  
61.9  
63.4  
61.5  
61.2  
60.1  
58.6  
56.0  
51.3  
0.805  
0.564  
0.369  
0.299  
0.266  
0.246  
0.231  
0.222  
0.210  
0.203  
0.189  
0.165  
-31.7  
-45.5  
-50.6  
-51.8  
-53.8  
-56.3  
-58.6  
-61.2  
-64.9  
-68.7  
-73.2  
-83.7  
0.12  
0.54  
0.81  
0.94  
1.00  
1.03  
1.03  
1.04  
1.04  
1.02  
1.00  
0.97  
29.6  
24.5  
20.2  
17.5  
15.3  
12.6  
11.1  
9.7  
8.7  
8.1  
8.2  
6.5  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
1800  
2000  
2500  
-138.4  
-159.5  
-172.8  
177.5  
169.5  
163.6  
157.6  
153.1  
149.4  
141.1  
Note:  
1. Gain Calculations:  
2
1 + | Δ |2 - |S11  
|
2 - |S22  
|
|S21  
|
K 2 - 1 ). When K 1, MAG is undefined and MSG values are used.  
Δ = S11 S22 - S21 S12  
|S21  
|S12  
|
|
(
K
MAG =  
MSG =  
, K =  
,
|S12  
|
2 |S12  
S21|  
MAG = Maximum Available Gain  
MSG = Maximum Stable Gain  
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