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NE3505M04 参数 Datasheet PDF下载

NE3505M04图片预览
型号: NE3505M04
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内容描述: [HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 335 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE3505M04  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)  
NE3505M04 Pin vs. Pout  
VDD=2V, ID=15.5mA(Non-RF), f=2.4GHz  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
10  
5
Po(1dB)=+8.5dBm  
0
Pout  
Ga  
ID  
-5  
-10  
0
0
-25  
-20  
-15  
-10  
-5  
Pin(dBm)  
NE3505M04 Pin vs IM3  
VDD=2V, ID=15.5mA(Non-RF), f=2.4GHz f=1MHz  
30  
OIP3=20dBm  
20  
10  
0
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
-70  
fH_2401  
fL_2400  
IMfL_2399  
IMfH_2402  
IIP3=3.5dBm  
-25  
-20  
-15  
-10  
-5  
0
5
10  
Pin(dBm)  
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