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BU508AT 参数 Datasheet PDF下载

BU508AT图片预览
型号: BU508AT
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内容描述: NPN硅平面功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 98 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 , ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN硅平面功率晶体管
BU508AT
TO-220
塑料包装
高电压,高速开关晶体管
拟用于彩色电视水平偏转电路中使用
绝对最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(峰值)
基极电流(DC)的
基本电流(峰值)
反向基极电流(DC或平均值
在任何20毫秒期)
逆基极电流(峰值)
功率耗散高达牛逼
c
=25ºC
工作和存储结
温度范围
*关闭当前
符号
V
CES
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B( AV )
*-I
BM
P
合计
T
j,
T
英镑
价值
1500
700
8
15
4
6
100
5
60
- 65 〜+ 150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
ºC
电气特性(T
c
= 25ºC除非另有规定)
描述
符号
测试条件
**I
CES
V
CE
=V
CES
马克斯,V
BE
=0
收藏家切断电流
T
j
=125ºC
V
CE
=V
CES
马克斯,V
BE
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
= 0, L = 25mH
I
C
= 4.5A ,V
CE
=5V
I
C
= 4.5A ,我
B
=2A
I
C
= 4.5A ,我
B
=2A
I
C
= 0.1A ,V
CE
= 5V , F = 5MHz时
I
E
= IE = 0 ,V
CB
= 10V , F = 1MHz的
典型值
最大
1.0
单位
mA
发射器切断电流
集电极发射极电压维持
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
跃迁频率
集电极电容
I
EBO
*V
CEO ( SUS )
*h
FE
*V
CE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
f
T
C
C
2.0
10
700
2.25
1.0
1.3
7
125
mA
mA
V
V
V
兆赫
pF
**测得的半正弦波电压(波形记录器)
*脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比Cycle<10 %
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3