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1N5250B 参数 Datasheet PDF下载

1N5250B图片预览
型号: 1N5250B
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内容描述: 硅外延平面稳压二极管的稳压 [Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Voltage Regulation]
分类和应用: 稳压二极管测试
文件页数/大小: 6 页 / 166 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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1N5223B通过1N5258B
电气特性
(续)
( TA = 25°C )
齐纳电压
TEST
条件
型号
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
V
Z
(V)
22 ± 5 (%)
24 ± 5 (%)
25 ± 5 (%)
27 ± 5 (%)
28 ± 5 (%)
30 ± 5 (%)
33 ± 5 (%)
36 ± 5 (%)
I
Z
(MA )
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
反向电流
I
R
(µA)
最大
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TEST
条件
V
R
(V)
17
18
19
21
21
23
25
27
Z
ZT
(Ω)
最大
29
33
35
41
44
49
58
70
动态电阻
TEST
条件
I
ZT
(MA )
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
Z
ZK
(Ω)
最大
600
600
600
600
600
600
700
700
TEST
条件
I
ZK
(MA )
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
γ
Z
(%/°C) *
1
最大
+0.087
+0.088
+0.089
+0.090
+0.091
+0.091
+0.092
+0.093
V
F
*
2
(V)
最大
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
注:1. 1N5223 1N5242到:我
Z
= 7.5毫安, 1N5243 1N5258到我
Z
= I
Z,
TA = 25 ° C至125°C
2.测试用DC,我
F
= 200毫安
Rev.3.00 2005年8月22日第3页5