硅平面齐纳二极管
1N5223B到1N5279B
2.7V至180V
DO- 35
轴向玻璃封装
电气特性（T
a
= 25ºC除非另有规定）
在我正向电压
F
=200mA
V
F
<1.1 V
没有后缀+ 20 ％的公差，后缀“A” + 10 ％容差和后缀'B' + 5 ％容差
设备
（注1 ）
公称
电压
V
Z
在我
ZT
TEST
当前
I
ZT
最大齐纳
阻抗
一& B后缀只有
（注2 ）
Z
ZT
at
Z
ZK
at
I
ZK
=0.25mA
I
ZT
Ω
Ω
13
600
15
600
16
600
17
600
19
600
21
600
23
600
25
600
29
600
33
600
35
600
41
600
44
600
49
600
58
700
70
700
80
800
93
900
105
1000
125
1100
150
1300
170
1400
185
1400
230
1600
270
1700
330
2000
370
2200
最大反向漏电流
I
R
在V
R
最大齐纳
电压
TEMP 。 COEFF 。
θ
Vz的（注3）
（仅A&B后缀）
α
V
Z
(% /ºC)
0.079
0.082
0.082
0.083
0.084
0.085
0.086
0.086
0.087
0.088
0.089
0.090
0.091
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
0.096
0.097
0.097
0.097
0.098
0.098
0.099
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1N5268B
1N5269B
V
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
mA
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
µ
A
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
62
68
1N5223B_5279B Rev_2 080605E
大陆设备印度有限公司
数据表
页2的5
CDIL [ Continental Device India Limited ]
