•提供
JAN ， JANTX ， JANTXV
和
JANS
每MIL -PRF-五百三十三分之一万九千五
• 500mW的齐纳二极管
•无腔体结构
•冶金结合
1N6309US
THRU
1N6320US
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
电源Dissapation ： 500毫瓦@ TEC = + 125ºC
功率降额： 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125ºC
正向电压： DC 1.4V @ IF = 1A DC （脉冲）
电气特性
@ 25℃ ，除非另有说明
VZ2
喃。
±5% @
IZ2
伏
1N6309US
1N6310US
1N6311US
1N6312US
1N6313US
1N6314US
1N6315US
1N6316US
1N6317US
1N6318US
1N6319US
1N6320US
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
VZ1
分钟。
@IZ1
250µ A
伏
1.1
1.2
1.3
1.5
1.8
2.0
2.4
2.8
3.3
4.3
5.2
6.0
IZ2
TEST
当前
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
ZZ
@
IZ2
欧
30
30
29
24
22
20
18
16
14
8.0
3.0
3.0
ZZK
@
250µ A
欧
1200
1300
1400
1400
1400
1700
1400
1500
1300
1200
800
400
IZM
VZ （ REG）
v
VZ
(1)
mA
177
157
141
128
117
108
99
90
83
76
68
63
伏
1.5
1.5
1.5
1.6
1.6
1.6
0.9
0.5
0.4
0.4
0.3
0.35
安培
2.5
2.2
2.0
1.8
1.65
1.5
1.4
1.27
1.17
1.10
0.97
1.23
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
IZSM
浪涌
VR
IR1
@
25ºC
µ
A
100
60
30
5.0
3.0
2.0
2.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
IR2
ND
@ @250
µA
TA 〜
1-3千赫
150ºC
µ
A
200
150
100
20
12
12
12
12
12
10
10
50
µ
V / Hz的
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
5.0
5.0
暗淡
D
F
G
S
MILLIMETERS
民
最大
1.78
2.16
0.48
0.71
4.19
4.95
0.08MIN.
英寸
最小最大
0.070 0.085
0.019 0.028
0.165 0.195
0.003MIN.
TYPE
图1
设计数据
案例：
D- 5D所示，气密密封的玻璃
情况下，每MIL - PRF- 533分之19500
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ：
50 C / W最高
注1 ：
v
VZ = VZ @ 20 MADC减VZ @ 2mAdc
热阻抗： （Z
OJX ） ： 15
C / W最高
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 4PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
CDI-DIODE [ COMPENSATED DEUICES INCORPORATED ]
