初步
CM3205
应用信息（续）
在V
TT
功率的要求是正比于num-
数据线误码率和终止的电阻
电阻器，但不与存储器的大小而变化。在一个典型
卡尔的DDR数据总线系统中，每个数据线连接
可以随时消耗16.2 mA的实现
405 mV的最小过V
TT
需要在接收器：
405mV-
I
terminaton
= --------------------- = 16.2毫安
Rt
(
25Ω
)
增加的封装功耗和比例
倚重增加热量的产生。
V
REF
通常路由到具有输入阻抗高，
诸如比较，用小的电流消耗。一个腺
保有足够V
REF
可以用一个简单的电压被创建
从V分频器的精度，匹配电阻
DDQ
to
地面上。一个小的陶瓷旁路电容，也可
改善噪声性能增加。
一个典型的128 MB的SSTL -2内存的系统，拥有192个
终止线，具有最坏情况最大V
TT
支持
帘布层电流可达
±3.11A.
但是， DDR内存
系统是动态的，并且理论峰值电流
只出现了很短的持续时间，如果他们出现在所有。
这些高电流峰值可以通过V处理
TT
外部电容。在实际的存储系统，犯人
连续的平均V
TT
在正常操作电流电平
小于
±200
毫安。
在V
DDQ
电源，除了供给电流
租到存储器组，也可以提供给电流
控制器和其他电路。目前的典型水平
一个美云2.0A范围内保持为3.0A ，峰值
高达4.0A或更多，这取决于存储器大小和
正在执行计算操作。
紧跟踪的要求和需要进行V
TT
to
水槽，以及源极，电流提供独特的挑
lenges的供电DDR SDRAM 。
CM3205稳压器
该CM3205双输出线性稳压器提供所有
DDR内存相结合的电力需求
两个线性稳压器到一个单一的TO- 263和TO- 252 5-
引脚封装。在V
DDQ
稳压器可提供高达5A
连续电流，和二象限V
TT
端接
化稳压器具有电流阱和源能力
± 2A 。在V
DDQ
线性稳压器采用PMOS通
元素非常低的压差电压，通常为600mV左右
在5A输出。在V的输出电压
DDQ
法规
器可通过外部分压器来设定。该节
OND输出，V
TT
，稳定在V
DDQ
/ 2由内部
电阻分压器。在V
TT
稳压器可以输出，以及
如水槽，高达2A的连续电流。该CM3205是
专为优化运行，从标称3.3VDC
总线，但可以采用V工作
IN
高达5V 。当operat-
荷兰国际集团在更高的V
IN
电压，必须注意以
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05/08/06
输入和输出电容器
的CM3205要求至少一个680μF的电解
电容靠近V
IN
销为稳定并
保持负载瞬变期间在输入总线电压。
在V之间的附加4.7μF的陶瓷电容器
IN
（引脚4）和GND （引脚5） ，放置在距离possi-
BLE到这些引脚，建议以确保稳定性。
最少一个680μF的电解电容是中建议
谁料为V
DDQ
输出。另外一个4.7μF
在V之间的陶瓷电容器
DDQ
（引脚2）和GND
非常靠近的那些管脚，值得推荐。
最少一个680μF的电解电容是中建议
谁料为V
TT
输出。该电容应该有
低ESR ，以达到最佳的输出瞬态响应。 SP
或OSCON电容具有低ESR高频
昆西，因而是一个不错的选择。另外，代替
在V之间的4.7μF陶瓷电容器
TT
引脚（引脚5）
和GND ，位于非常接近的那些引脚。总
ESR必须足够低，以保持暂态内
在V
TT
40 mV的过渡期间窗口
来源下沉。的平均电流步骤
±0.5A
要求：
40mV
-
ESR
＆ LT ;
-------------- = 40mΩ
1A
两个输出将保持稳定和调控，甚至
在轻载或空载状态。
调整V
DDQ
输出电压
该CM3205内部带隙基准设定在
1.215V 。在V
DDQ
电压是可调的使用
电阻分压器R1和R2 ：
R2
-
V
OUT
= V
ADJ
× ⎛
1 + ------
⎞
⎝
R1
⎠
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